ОЗУ динамического типа
Предположим, что адрес ячейки 100101
Характеристики DRAM
350.50K
Категория: ЭлектроникаЭлектроника

ОЗУ динамического типа. DRAM

1. ОЗУ динамического типа

DRAM

2.

• Рассмотрим порядок адресации ячеек,
количество адресных входов в два раза
меньше чем разрядность адреса.

3. Предположим, что адрес ячейки 100101

4.

DI
RG
DC
строк
строк
DMUX
100
0
0
0
0
0
0
0
0
101
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
DC
столб
RG
столб
CAS
A0
RAS
A2
W/R
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
DO
Схема
регенерации

5.

• На адресные входы подаются младшие
разряды адреса и затем на
стробирующий RAS подается 0.

6.

DI
RG
DC
строк
строк
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
DMUX
DC
столб
RG
столб
CAS
A0
RAS
A2
W/R
100101
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
DO
Схема
регенерации

7.

DI
RG
DC
строк
строк
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
DMUX
DC
столб
RG
столб
CAS
A0 1
0
A2 1
RAS
W/R
100
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
DO
Схема
регенерации

8.

DI
1
0
1
RG
DC
строк
строк
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
DMUX
DC
столб
RG
столб
CAS
A0 1
0
A2 1
0 RAS
W/R
100
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
DO
Схема
регенерации

9.

DI
1
0
1
RG
DC
строк
строк
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
DMUX
DC
столб
RG
столб
CAS
A0
0 RAS
A2
W/R
100
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
DO
Схема
регенерации

10.

• Выбралась строчка где находится
адресуемая ячейка.

11.

• На те же адресные входы подаются
старшие разряды адреса (младшие
снимаются) и стробирующий сигнал 0
на вход CAS

12.

DI
RG
DC
строк
строк
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
DMUX
DC
столб
RG
столб
CAS
A0
RAS
A2
W/R
100
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
DO
Схема
регенерации

13.

DI
RG
DC
строк
строк
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
DMUX
DC
столб
RG
столб
0 CAS
A0 1
0
A2 0
0
0
0
0
0
0
0
0
RAS
W/R
1 0 0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
DO
Схема
регенерации

14.

DI
RG
DC
строк
строк
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
DMUX
DC
столб
RG
столб
CAS
A0
RAS
A2
W/R
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
DO
Схема
регенерации

15.

• Выбирается столбик, где находится
адресуемая ячейка

16.

DI
RG
DC
строк
строк
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
DMUX
DC
столб
RG
столб
CAS
A0
RAS
A2
W/R
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
DO
Схема
регенерации

17.

• Адресуемая ячейка лежит на
пересечении выбранных строки и
столбца

18.

DI
RG
DC
строк
строк
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
DMUX
DC
столб
RG
столб
CAS
A0
RAS
A2
W/R
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
DO
Схема
регенерации

19.

• При записи на DI подаётся бит
информации и на W /R ноль. При
чтении на W /R подается единица и на
DO появляется считываемый бит
информации.

20.

DI
RG
DC
строк
строк
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
DMUX
DC
столб
RG
столб
CAS
A0
RAS
A2
W/R
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
DO
Схема
регенерации

21.

УГО МИКРОСХЕМЫ DRAM
0
1
2
3
4
5
6
DI
RAS
CAS
W/R
DRAM
DO

22. Характеристики DRAM

- Разрядность адреса – 14
- Количество ячеек памяти – 16К
- Разрядность ячейки – 1
- Информационная организация – 16Кх1
- Объем памяти = 16Кбит = 2КБ
English     Русский Правила