Шумы транзисторов
Тепловой шум
Тепловой шум
Шумы биполярного транзистора
Источники дробового шума:
Шумы полевого транзистора:
Тепловой шум в канале
Индуцированный шум на затворе
Расчет амплитуды N-ой гармоники коллекторного тока методом угла отсечки
Режимы:
Режимы A, AB, B, C
Понятие об интермодуляционном искажении
Справочные параметры транзисторов
Справочные параметры полевых транзисторов
Параметры транзистора AT 31625
Точка компрессии Р1дБ
Параметр IP3
1.18M
Категория: ФизикаФизика

Шумы транзисторов

1. Шумы транзисторов

ШУМЫ ТРАНЗИСТОРОВ
1

2. Тепловой шум

ТЕПЛОВОЙ ШУМ
Тепловой шум – шум, который
создаётся флуктуациями
носителей в цепях, имеющих
омическое сопротивление при
температуре отличной от нуля.
где∆f - шумовая полоса =
рабочая полоса устройства
2

3. Тепловой шум

ТЕПЛОВОЙ ШУМ
3

4. Шумы биполярного транзистора

ШУМЫ БИПОЛЯРНОГО
ТРАНЗИСТОРА
1. Тепловой шум: в основном обусловлен
шумом сопротивления базы:
4

5.

2. Дробовой шум – шум,
возникающий при подаче смещения
на транзистор. При этом нарушается
термодинамическое равновесие, из-за
протекания тока через транзистор.
5

6. Источники дробового шума:

ИСТОЧНИКИ ДРОБОВОГО
ШУМА:
флуктуации тока, возникающие
вследствие столкновения
носителеий заряда с ионами
решеё тки и другими носителями;
флуктуации тока, вызванные
генерациеий /рекомбинациеий
носителеий .
6

7. Шумы полевого транзистора:

ШУМЫ ПОЛЕВОГО
ТРАНЗИСТОРА:
тепловоий шум в канале;
индуцированныий шум
на затворе;
шумы пассивных
областеий .
7

8. Тепловой шум в канале

ТЕПЛОВОЙ ШУМ В КАНАЛЕ
Тепловоий шум в канале – шум
сопротивления проводящеий части
канала:
,
где
- низкочастотная
проводимость,
- коэффициент
режима работы транзистора по
постоянному току.
8

9. Индуцированный шум на затворе

ИНДУЦИРОВАННЫЙ ШУМ НА
ЗАТВОРЕ
Индуцированный шум на затворе вызван тепловым шумом
канала поскольку любая флуктуация потенциала канала
вызывает флуктуацию напряжения на затворе.
Индуцированный шум затвора можно представить в
виде источника шумового тока, включенного между
истоком и затвором
9

10.

Шумы пассивных областей
Шумы пассивных областей возникают из-за
наличия сопротивлений затвора и истока:
10

11. Расчет амплитуды N-ой гармоники коллекторного тока методом угла отсечки

РАСЧЕТ АМПЛИТУДЫ N-ОЙ ГАРМОНИКИ
КОЛЛЕКТОРНОГО ТОКА МЕТОДОМ УГЛА
ОТСЕЧКИ
Угол отсечки – половина фазового угла, в течение
которого через транзистор протекает ток
11

12. Режимы:

РЕЖИМЫ:
С отсечкоий (форма тока не
повторяет форму напряжения);
Без отсечки (форма тока
повторяет форму напряжения).
12

13. Режимы A, AB, B, C

РЕЖИМЫ A, AB, B, C
13

14. Понятие об интермодуляционном искажении

ПОНЯТИЕ ОБ ИНТЕРМОДУЛЯЦИОННОМ
ИСКАЖЕНИИ
14

15. Справочные параметры транзисторов

СПРАВОЧНЫЕ ПАРАМЕТРЫ
ТРАНЗИСТОРОВ
15

16. Справочные параметры полевых транзисторов

СПРАВОЧНЫЕ ПАРАМЕТРЫ
ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
16

17. Параметры транзистора AT 31625

ПАРАМЕТРЫ ТРАНЗИСТОРА AT 31625
ПАРАМЕТРЫ ATF-45101
f
P
G
n
4GHz
29dBm
10dB
38%
17

18. Точка компрессии Р1дБ

ТОЧКА КОМПРЕССИИ Р1ДБ
Точка компрессии Р1дБ
- точка на амплитудноий
характеристике Рвых( Рвх) , в котороий коэффициент усиления
меньше на 1 дБ коэффициента усиления идеального
усилителя.
18

19. Параметр IP3

ПАРАМЕТР IP3
Параметр IP3 - точка пересечения идеальных амплитудных
характеристик основного сигнала Рн.ид( Рвх) и
интермодуляционного Ри.ид( Рвх) .
Как правило, на 10-15 дБ.
19
English     Русский Правила