Классификация и обозначения полупроводниковых приборов

1. Классификация и обозначения полупроводниковых приборов

Система условных обозначений отечественных
полупроводниковых приборов базируется на государственных и
отраслевых стандартах

2. Основные термины, определения и буквенные обозначения основных и справочных параметров полупроводниковых приборов приведены в

25529-82 – Диоды полупроводниковые. Термины,
определения и буквенные обозначения параметров;
19095-73 – Транзисторы полевые. Термины, определения
и буквенные обозначения параметров;
20003-74 – Транзисторы биполярные. Термины,
определения и буквенные обозначения параметров;
20332-84 – Тиристоры. Термины, определения и
буквенные обозначения параметров.

3. Условные обозначения и классификация отечественных полупроводниковых приборов

В основу системы обозначения положен буквенно-цифровой код.
Первый элемент
Исходный материал
Условные
обозначения
Германий или его соединения
Г или 1
Кремний или его соединения
К или 2
Соединения галлия (например, арсенид галлия)
А или 3
Соединения индия (например, фосфид индия)
И или 4

4.

Второй элемент
Подкласс приборов
Условные обозначения
Выпрямительные, универсальные, импульсные
диоды
Д
Транзисторы биполярные
Т
Транзисторы полевые
П
Варикапы
В
Тиристоры диодные
Н
Тиристоры триодные
У
Туннельные диоды
И
Стабилитроны
С
Выпрямительные столбы
Ц
Диоды Ганна
Б
Стабилизаторы тока
К
Сверхвысокочастотные диоды
А
Излучающие оптоэлектронные приборы
Л
Оптопары
О

5.

Третий элемент
Условные
обозначения
Назначение прибора
Диоды выпрямительные, с прямым током, А:
менее 0,3
1
0,3…10
2
Диоды прочие (магнитодиоды, термодиоды и др.)
3
Диоды импульсные, с временем восстановления, нс:
более 500
4
150…500
5
30…150
6
5…30
7
1…5
8
с эффективным временем
носителей заряда менее 1 нс
жизни
неосновных
9

6.

Третий элемент
Условные
обозначения
Триодные тиристоры с максимально допустимым средним током в открытом
состоянии (или импульсным), А:
незапираемые:
менее 0,3 (менее 15)
1
0,3…10 (15…100)
2
более 10 (более 100)
7
запираемые:
менее 0,3 (менее 15)
3
0,3…10 (15…100)
4
более 10 (более 100)
6
симметричные:
менее 0,3 (менее 15)
5
0,3 ... 10 (15 ... 100)
6
более 10 (более 100)
9
Туннельные диоды:
обращенные
1
генераторные
2
усилительные
3
переключательные
4
Генераторы шума:
низкочастотные
1
высокочастотные
2
Назначение прибора

7.

Третий элемент
Условные
обозначения
Назначение прибора
Варикапы:
подстрочные
умножительные (варакторы)
1
2
Стабилитроны, стабисторы и ограничители, с напряжением стабилизации, В:
мощностью менее 0,3 Вт:
менее 10
10…100
более 100
мощностью 0,3…5 Вт:
менее 10
10…100
более 100
мощностью 5…10 Вт
менее 10
10…100
более 100
1
2
3
4
5
6
7
8
9

8.

Третий элемент
Условные
обозначения
Выпрямительные столбы с прямым током, А:
менее 0,3
1
0,3 ... 10
2
Выпрямительные блоки с прямым током, А:
менее 0,3
3
0,3…10
4
Транзисторы биполярные:
маломощные с рассеиваемой мощностью Рx<0,3 Вт:
низкой частоты (граничная частота Fгр<3 МГц)
1
средней частоты (Fгр=3…30 МГц)
2
высокой и сверхвысокой частот
3
средней мощности (Рx=0,3…1,5 Вт):
низкой частоты
4
средней частоты
5
высокой и сверхвысокой частот
6
большой мощности (Рx>1,5 Вт):
низкой частоты
7
средней частоты
8
высокой и сверхвысокой частот
9
Назначение прибора

9.

Третий элемент
Назначение прибора
Транзисторы полевые:
малой мощности (Рх<0,3 Вт):
низкой частоты
1
средней частоты
2
высокой и сверхвысокой частот
3
средней мощности (Рх=0,3…1,5 Вт):
низкой частоты
4
средней частоты
5
высокой и сверхвысокой частот
6
большой мощности (Рх>1,5 Вт):
низкой частоты
7
средней частоты
8
высокой и сверхвысокой частот
9
Источники инфракрасного излучения:
излучающие диоды
1
излучающие модули
2
Условные
обозначения

10.

Третий элемент
Условные
обозначения
Назначение прибора
Приборы визуального представления информации:
светоизлучающие диоды
3
знаковые индикаторы
4
знаковые табло
5
шкалы
6
экраны
7
Оптопары:
резисторные
Р
диодные
Д
тиристорные
У
транзисторные
Т

11.

Четвертый элемент
Четвертый элемент (2 либо 3 цифры) означает
порядковый номер технологической разработки и
изменяется от 01 до 999.
Пятый элемент
Пятый элемент (буква) в буквенно-цифровом
коде системы условных обозначений указывает
разбраковку по отдельным параметрам приборов,
изготовленных в единой технологии. Для
обозначения используются заглавные буквы
русского алфавита от А до Я, кроме З, О, Ч, Ы,
Ш, Щ, Я, схожих по написанию с цифрами.

12. Условные обозначения и классификация зарубежных полупроводниковых приборов

Система обозначений JEDEC
(Joint Electron Device Engineering Council)
Первый элемент
первая цифра соответствует числу p-n переходов: 1 –
диод, 2 – транзистор, 3 – тетрод (тиристор).
Второй элемент
буква N и серийный номер, который регистрируется
ассоциацией предприятий электронной
промышленности (EIA).
Третий элемент
одна или несколько букв, указывают на разбивку
приборов одного типа на типономиналы по
различным характеристикам

13. Система Pro Electron

Association International Pro Electron
Первый элемент
Исходный материал
Ширина запрещенной
зоны, эВ
Условные
обозначения
Германий
0,6…1
A
Кремний
1…1,3
B
Арсенид галлия
более 1,3
C
Антимонид индия
менее 1,6
D

14. Система Pro Electron

Второй элемент
Подкласс приборов
Диоды детекторные, быстродействующие, смесительные
Диоды с переменной емкостью
Транзисторы низкочастотные маломощные (Rthja>15 ºC/Bт)
Транзисторы низкочастотные мощные (Rthja<15 ºC/Bт)
Диоды туннельные
Транзисторы высокочастотные маломощные (Rthja>15 ºC/Bт)
Транзисторы высокочастотнае мощные (Rthja<15 ºC/Bт)
Светочувствительные (фотоприемные) приборы
(фотодиоды, фототранзисторы и др.)
Излучающие приборы
Приборы, работающие в области пробоя
Транзисторы переключающие мощные
Регулирующие и переключающие приборы, мощные
управляемые выпрямители (Rthja<15 ºC/Bт)
Транзисторы переключающие мощные
Диоды умножительные
Диоды выпрямительные мощные
Стабилитроны
Условные обозначения
А
В
С
D
Е
F
L
Р
Q
R
S
Т
U
X
Y
Z

15. Система Pro Electron

Третий элемент
Третий элемент (цифра или буква) обозначает в
буквенно-цифровом коде полупроводниковые
приборы, предназначенные для аппаратуры
общегражданского применения (цифра) или для
аппаратуры специального применения (буква).
Четвертый элемент
Четвертый элемент (2 цифры) означает
порядковый номер технологической разработки
и изменяется от 01 до 99.
Например, ВТХ10-200 - это кремниевый управляемый выпрямитель (тиристор)
специального назначения с регистрационным номером 10 и напряжением 200 В.

16. Стандарт JIS-C-7012

Electronic Industries Association of Japan
Первый элемент
Класс приборов
Условные обозначения
Фотодиоды, фототранзисторы
0
Диоды
1
Транзисторы
2
Четырехслойные приборы
3

17. Стандарт JIS-C-7012

Второй элемент
обозначается буквой S и указывает на то, что
данный прибор является полупроводниковым
Третий элемент
Подкласс приборов
Транзисторы p-n-p высокочастотные
Транзисторы p-n-p низкочастотные
Транзисторы n-p-n высокочастотные
Транзисторы n-p-n низкочастотные
Диоды Есаки
Тиристоры
Условные
обозначения
A
B
C
D
E
F
Диоды Ганна
G
Однопереходные транзисторы
Полевые транзисторы с p-каналом
H
I

18. Стандарт JIS-C-7012

Третий элемент
Подкласс приборов
Условные обозначения
Полевые транзисторы с n-каналом
K
Симметричные тиристоры
M
Светоизлучающие диоды
Q
Выпрямительные диоды
R
Малосигнальные диоды
S
Лавинные диоды
T
Диоды с переменной емкостью, pin-диоды
V
Стабилитроны
Z

19. Стандарт JIS-C-7012

Четвертый элемент
обозначает регистрационный номер
технологической разработки и начинается с
числа 11
Пятый элемент
отражает модификацию разработки (А и В –
первая и вторая модификация).

20. Графические обозначения и стандарты

ГОСТ 2.730-73 «Обозначения условные, графические в схемах.
Приборы полупроводниковые»
Наименование прибора
Обозначение
Наименование прибора
Диод выпрямительный,
столб выпрямительный
Транзистор типа p-n-p
Диод туннельный
Транзистор типа n-p-n
Диод обращения
Однопереходный
транзистор с n-базой
Варикап
Полевой транзистор с
каналом n-типа
Диод светоизлучающий
Полевой транзистор с
каналом p-типа
Обозначение

21.

Наименование прибора
Обозначение
Наименование прибора
Односторонний
стабилитрон
Полевой транзистор с
изолированным затвором
обогащенного типа с nканалом
Двусторонний стабилитрон
Полевой транзистор с
изолированным затвором
обогащенного типа с pканалом
Диодный тиристор
Полевой транзистор с
изолированным затвором
обедненного типа с nканалом
Триодный, запираемый в
обратном направлении,
выключаемый, с
управлением по аноду
Полевой транзистор с
изолированным затвором
обедненного типа с pканалом
Триодный, запираемый в
обратном направлении,
выключаемый, с
управлением по катоду
Обозначение

22. Биполярные транзисторы и их зарубежные аналоги в соответствии с маркировкой (ОСТ 11.336.919-81 – Россия, JEDEC - США, Pro

Тип прибора
Материал,
структура,
технологии
Pk max, мВт
Fгр, Fh216, Fh21,
Мгц
Uкб оп, Uкэ rпр, Uкэ
опр, В
Uэб опр, В
Iк max, Ik и max, мA
Ikбо, Ikэ r, мкA
КТ315И
(ОСТ 11.336.919-81)
Si n-p-n
150
250
60
6
50
0.6 (10 В)
2N3904 (JEDEC)
Si n-p-n
310
300
60
6
200
10 (60 В)
BFX44
(Pro Electron)
Si n-p-n
ПЭ 360
300
40
4
125
(250*)
0,1 (20 B)
2SC57
(JIS-C-7012)
Si n-p-n
ПЭ 360
200
40
5
200
0,1 (15 B)

23. Диоды и их зарубежные аналоги в соответствии с маркировкой (ОСТ 11.336.919-81 – Россия, JEDEC - США, Pro Electron - Европа,

Тип прибора
Материал,
структура,
технологии
Uобр, В
Iобр. max, мкА
Uпр, В
Iпр. max, мА
Iном, мА
Сд, пФ
Д220Б (ОСТ
11.336.919-81)
Si
100
0,4
1,5
50
30
(30В)
15
1N4148
(JEDEC)
Si
75
0,025
1
10
10 (6 В)
4
BAW63
(Pro Electron)
Si
60
1
0,9
50
-
4
1S307
(JIS-C-7012)
Ge
20
20
0,75
100
75
0,5

24. Стабилитроны и их зарубежные аналоги в соответствии с маркировкой (ОСТ 11.336.919-81 – Россия, JEDEC - США, Pro Electron -

Тип прибора
Материал, структура,
технологии
Uст.ном
Iст.ном.
Рмакс
Uст. min – Uст. max
∆Uст, %
rст., Ом
aст·10-2, %/ºС
Iст. min, мА
Iст.max, мА
Тп.мак
2С133Г
Si
3,3
5,0
125
3-3,6
150
-10
1,0
37,5
125
2С108А
Si
6,4
7,5
±5
15
0,1
3
10
125

25. Обозначения основных параметров полупроводниковых приборов в соответствии с действующими стандартами

Диод выпрямительный
C – емкость диода.
CБ – барьерная емкость.
CD – диффузионная емкость.
Cп Cd – емкость перехода диода.
Cд Ctot – общая емкость диода.
Iэкр Iут ID – ток утечки.
Iпр IF – постоянный прямой ток.
Iобр IR – постоянный обратный ток.
If – прямой ток.
Ifsm – прямой ток перегрузки.
Ir - постоянный обратный ток.
К – коэффициент выпрямления.
Pмакс Pmax – максимально допустимая
мощность.
rдиф Rd r – дифференциальное
сопротивление.
rD – дифференциальное
характеристическое
сопротивление диода.
RD – дифференциальное
сопротивление диода по
постоянному току.
Uпр UF – постоянное прямое
напряжение.
Uобр UR – постоянное обратное
напряжение.
Ur – обратное напряжение.
Uf – постоянное прямое напряжение.
Uоткр Uост UT – остаточное
напряжение.

26. Обозначения основных параметров полупроводниковых приборов в соответствии с действующими стандартами

Диод импульсный
If – прямой ток.
Ifm – импульсный прямой ток.
Pи.макс Pимп.макс PM макс – максимально допустимая импульсная мощность.
Trr – время обратного восстановления.
Ur – обратное напряжение.
Диод Ганна
Uf – прямое напряжение.
Eпор – пороговая напряженность электрического поля.
Варикап
P – генерируемая мощность.
Ctot – общая емкость.
W – длина образца.
Кс – коэффициент перекрытия по емкости.
Транзистор
Q – добротность варикапа.
P – мощность, рассеиваемая в приборе.
Ur – обратное напряжение.
Pвых Pout – выходная мощность.
Тиристор
Uвх Uin, UBE – входное напряжение.
Uвкл – напряжение включения.
Uперекл – напряжение переключения.
α – суммарный коэффициент передачи тока первого и второго транзисторов.
Тринистор
Тепловые параметры
Iупр – управляющий ток базы.
Rthja – общее тепловое сопротивление диода или
Стабилитрон
транзистора.
Iст IZ – ток стабилизации.
Rthjc – тепловое сопротивление переход – корпус
Р – рассеиваемая мощность.
транзистора.
Rдиф – дифференциальное сопротивление.
Rthca – тепловое сопротивление корпус –
rст rZ – дифференциальное сопротивление стабилитрона.
окружающая среда.
Uстаб Uст Uz UZ – напряжение стабилизации.
КНИ Kf – коэффициент нелинейных искажений.
Туннельный диод
Eпр – напряженность электрического поля пробоя.

27. Обозначения основных параметров полупроводниковых приборов в соответствии с действующими стандартами

Биполярный транзистор
Eк EC – напряжение источника питания коллекторной цепи.
h11 – входное сопротивление при коротком замыкании на выходе.
h22 – выходная проводимость при холостом ходе во входной цепи.
h12 – коэффициент обратной связи при холостом ходе во входной цепи.
h21 – коэффициент передачи тока при коротком замыкании на выходе.
IК Iк IC – ток коллектора.
IБ Iб IB – ток базы.
Полевой транзистор
IЭ Iэ IE – ток эмиттера.
Сox – удельная емкость подзатворного
IКБ0 Iк0 ICB0 – обратный ток коллектора.
диэлектрика.
IЭБ0 Iэ0 IEB0 – обратный ток эмиттера.
Iс ID – ток стока.
Wp-n – ширина обедненной области биполярного транзистора.
Iз IG – ток затвора.
Rб RB – сопротивление в цепи базы.
IDS – ток канала исток-сток.
rб – объемное сопротивление базы.
rб rbb – сопротивление базы.
R0 – омическое сопротивление.
rэ – сопротивление эмиттерного перехода.
Ri – внутреннее сопротивление.
rк – сопротивление коллекторного перехода.
S – крутизна характеристики.
Uкб UCB – напряжение между коллектором и базой.
Uзи UGS – напряжение затвор – исток.
Uкэ UCE – напряжение между коллектором и эмиттером.
Uси UDS – напряжение исток – сток.
Uэб UEB – напряжение между эмиттером и базой.
Uзс UDG – напряжение сток – затвор.
W – ширина базы биполярного транзистора.
UЗИ пор Uпор UGS (th) VT – пороговое напряжение.
y11, y22– входная и выходная проводимости.
UЗИ отс Uотс UGS (off) – напряжение отсечки.
y12, y21 – проводимости обратной и прямой передач.
Vox – падение напряжения на окисном слое.
z11, z22 – входное и выходное сопротивления.
VТ - пороговое напряжение.
z12, z21 – сопротивления обратной и прямой передач.
VSS – напряжение, приложенное к подложке.
α – коэффициент передачи тока эмиттера.
β – коэффициент усиления.
m – коэффициент усиления.
μэк – коэффициент обратной связи эмиттер-коллектор.
γ – коэффициент инжекции, или эффективность эмиттера.
χ - коэффициент переноса.
η – коэффициент неоднородности базы.

28.

Система условных обозначений отечественных
интегральных микросхем
Система условных обозначений современных типов
интегральных микросхем установлена ОСТ 11073915-80.
В основу системы обозначений положен буквенноцифровой код.
Первый элемент - цифра, обозначающая группу
интегральной микросхемы по конструктивнотехнологическому исполнению:
1,5,6,7 - полупроводниковые ИМС;
2,4,8 - гибридные;
3 - прочие (пленочные, вакуумные, керамические).
Второй элемент - две или три цифры (от 01 до 99 или от
001 до 999), указывающие на порядковый номер
разработки данной серии ИМС.
Первый и второй элемент образуют серию микросхем.
Третий элемент - две буквы, обозначающие
функциональную подгруппу и вид микросхемы.