Разработка физико-математической модели роста полупроводникового нитевидного нанокристалла

1.

МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение
высшего образования
«ЮЖНО-РОССИЙСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ
УНИВЕРСИТЕТ (НПИ) имени М.И.Платова»
ФАКУЛЬТЕТ ИФИО
КАФЕДРА Физика и Фотоника
НАПРАВЛЕНИЕ ПОДГОТОВКИ 11.04.04. Электроника и наноэлектроника
Разработка физико-математической модели роста
полупроводникового нитевидного нанокристалла
Автор работы: Василенко Д. А. ИФИО 110404-НТЭа-о19
Руководитель: Малибашев А.В.
2021 г.

2.

Разработка физико-математической модели роста полупроводникового нитевидного нанокристалла Василенко Д. А. ИФИО 110404-НТЭа-о19
Цель – проанализировать существующие механизмы
и модели роста ННК, сформулировать модель роста
ННК.
Объект – свойства и применение ННК, механизмы и
модели их роста.
Предмет – влияние технологически значимых
факторов на рост ННК
Актуальность – ННК активно изучаются и
применяются в различных областях современной
электроники, нанотехнологий.

3.

Разработка физико-математической модели роста полупроводникового нитевидного нанокристалла Василенко Д. А. ИФИО 110404-НТЭа-о19
Задачи:
• Рассмотреть ННК как объект нанотехнологий в электронике.
• Изучить свойства, возникающие и влияющие на рост ННК
• Исследовать основные методы и механизмы получения ННК
• Проанализировать существующие модели роста ННК и учет
в них технологически значимых факторов роста.
• Сформулировать модель роста ННК с учетом свойств роста и
определяющих основные параметры модели.
• Разработать компьютерную модель, выбрать методы решения
поиска результатов, подтверждающих правильность модели
для проверки ее адекватности.

4.

Разработка физико-математической модели роста полупроводникового нитевидного нанокристалла Василенко Д. А. ИФИО 110404-НТЭа-о19
Нитевидный нанокристалл, использование и открытие
Рисунок 2. Квантовая проволока
Рисунок 1. Нитевидный нанокристалл
Рисунок 3. Полевой одноэлектронный транзистор

5.

Разработка физико-математической модели роста полупроводникового нитевидного нанокристалла Василенко Д. А. ИФИО 110404-НТЭа-о19
Свойства ННК
a)
b)
Рисунок 4. Строение типа а) вюрцита, b) сфалерита
Рисунок 6. Совершенство структуры ННК
Кристалл
Рисунок 5. Поляризации излучения при снятии спектров
электролюминесценции в направлениях параллельных росту ННК и
перпендикулярных ему