Сложные структуры

1.

Способы описания сложных структур
1. Графически.

2.

Способы описания сложных структур
1. Графически.

3.

Способы описания сложных структур
1. Графически.

4.

Способы описания сложных структур
1. Графически.

5.

Способы описания сложных структур
1. Графически.
2. Взаимопроникающими
подрешетками

6.

Способы описания сложных структур
1. Графически.
2. Взаимопроникающими
подрешетками
ГЦКSi ГЦКSi <111> на

7.

Способы описания сложных структур
1. Графически.
2. Взаимопроникающими
подрешетками
ГЦКSi ГЦКSi <111> на
3. Решеткой Бравэ и базисом

8.

Способы описания сложных структур
1. Графически.
2. Взаимопроникающими
подрешетками
ГЦКSi ГЦКSi <111> на
3. Решеткой Бравэ и базисом
ГЦК Si |[0,0,0]| ГЦК Si

9.

Способы описания сложных структур
1. Графически.
2. Взаимопроникающими
подрешетками
ГЦКSi ГЦКSi <111> на
3. Решеткой Бравэ и базисом
ГЦК Si |[0,0,0]| ГЦК Si
4. В терминах плотнейших
упаковок:

10.

Способы описания сложных структур
1. Графически.
2. Взаимопроникающими
подрешетками
ГЦКSi ГЦКSi <111> на
3. Решеткой Бравэ и базисом
ГЦК Si |[0,0,0]| ГЦКSi
4. В терминах плотнейших
упаковок: ГЦК плотнейшая упаковка,
образованная атомами Si,
4 (половина) тетраэдрические пустоты
которой заняты атомами Si

11.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Алмаза
К данному структурному
типу относятся
полупроводники:
Si, Ge, -Sn

12.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Алмаза
К данному структурному
типу относятся
полупроводники:
C, Si, Ge, -Sn
1
1
n 8 6 4 8
8
2

13.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Алмаза
К данному структурному
типу относятся
полупроводники:
C, Si, Ge, -Sn
1
1
n 8 6 4 8
8
2
К4

14.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Алмаза
К данному структурному
типу относятся
полупроводники:
C, Si, Ge, -Sn
1
1
n 8 6 4 8
8
2
К4
ГЦК Si |[0,0,0]| и Si |[¼, ¼, ¼]|

15.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Алмаза
К данному структурному
типу относятся
полупроводники:
C, Si, Ge, -Sn
1
1
n 8 6 4 8
8
2
К4
ГЦК Si |[0,0,0]| и Si |[¼, ¼, ¼]|
ГЦКSi ГЦКSi ¼ <111>

16.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Алмаза
К данному структурному
типу относятся
полупроводники:
C, Si, Ge, -Sn
1
1
n 8 6 4 8
8
2
К4
ГЦК Si |[0,0,0]| и Si |[¼, ¼, ¼]|
ГЦКSi ГЦКSi ¼ <111>
ГЦК плотнейшая упаковка, образованная атомами
Si, четыре тетраэдрические пустоты которой
заняты атомами Si.

17.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Алмаза
К данному структурному
типу относятся
полупроводники:
C, Si, Ge, -Sn
1
1
n 8 6 4 8
8
2
К4
ГЦК Si |[0,0,0]| и Si |[¼, ¼, ¼]|
ГЦКSi ГЦКSi ¼ <111>
ГЦК плотнейшая упаковка, образованная атомами
Si, четыре тетраэдрические пустоты которой
заняты атомами Si.
Наиболее плотноупакованные плоскости {111}.

18.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Сфалерита
В структурном типе ZnS
(цинковой обманки)
кристаллизуются
соединения типа AIIIBV

19.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Сфалерита
В структурном типе ZnS
(цинковой обманки)
кристаллизуются
соединения типа AIIIBV
1
1
n 8 6 4 8
8
2 Zn
S

20.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Сфалерита
В структурном типе ZnS
(цинковой обманки)
кристаллизуются
соединения типа AIIIBV
1
1
n 8 6 4 8
8
2 Zn
S

21.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Сфалерита
В структурном типе ZnS
(цинковой обманки)
кристаллизуются
соединения типа AIIIBV
1
1
n 8 6 4 8
8
2 Zn
S
КZn по Zn12
КZn по S 4
КS по Zn 4
КS по S 12

22.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Сфалерита
В структурном типе ZnS
(цинковой обманки)
кристаллизуются
соединения типа AIIIBV
1
1
n 8 6 4 8
8
2 Zn
S
КZn по Zn12
КZn по S 4
КS по Zn 4
КS по S 12

23.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Сфалерита
В структурном типе ZnS
(цинковой обманки)
кристаллизуются
соединения типа AIIIBV
1
1
n 8 6 4 8
8
2 Zn
S
КZn по Zn12
КZn по S 4
КS по Zn 4
КS по S 12

24.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Сфалерита
В структурном типе ZnS
(цинковой обманки)
кристаллизуются
соединения типа AIIIBV
1
1
n 8 6 4 8
8
2 Zn
S
КZn по Zn12
КZn по S 4
КS по Zn 4
КS по S 12

25.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Сфалерита
В структурном типе ZnS
(цинковой обманки)
кристаллизуются
соединения типа AIIIBV
1
1
n 8 6 4 8
8
2 Zn
S
КZn по Zn12
КZn по S 4
КS по Zn 4
КS по S 12

26.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Сфалерита
В структурном типе ZnS
(цинковой обманки)
кристаллизуются
соединения типа AIIIBV
1
1
n 8 6 4 8
8
2 Zn
S
КZn по Zn12
КZn по S 4
КS по Zn 4
КS по S 12
ГЦК S |[0,0,0]| и ГЦК Zn |[¼, ¼, ¼]|

27.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Сфалерита
В структурном типе ZnS
(цинковой обманки)
кристаллизуются
соединения типа AIIIBV
1
1
n 8 6 4 8
8
2 Zn
S
КZn по Zn12
КZn по S 4
КS по Zn 4
КS по S 12
ГЦК S |[0,0,0]| и ГЦК Zn |[¼, ¼, ¼]|
ГЦКZn ГЦКS ¼ <111>

28.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Сфалерита
В структурном типе ZnS
(цинковой обманки)
кристаллизуются
соединения типа AIIIBV
1
1
n 8 6 4 8
8
2 Zn
S
КZn по Zn12
КZn по S 4
КS по Zn 4
КS по S 12
ГЦК S |[0,0,0]| и ГЦК Zn |[¼, ¼, ¼]|
ГЦКZn ГЦКS ¼ <111>
ГЦК плотнейшая упаковка, образованная атомами S, четыре
тетраэдрические пустоты которой заняты атомами Zn

29.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Сфалерита
В структурном типе ZnS
(цинковой обманки)
кристаллизуются
соединения типа AIIIBV
1
1
n 8 6 4 8
8
2 Zn
S
КZn по Zn12
КZn по S 4
КS по Zn 4
КS по S 12
ГЦК S |[0,0,0]| и ГЦК Zn |[¼, ¼, ¼]|
ГЦКZn ГЦКS ¼ <111>
ГЦК плотнейшая упаковка, образованная атомами S, четыре
тетраэдрические пустоты которой заняты атомами Zn

30.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Сфалерита
В структурном типе ZnS
(цинковой обманки)
кристаллизуются
соединения типа AIIIBV
1
1
n 8 6 4 8
8
2 Zn
S
КZn по Zn12
КZn по S 4
КS по Zn 4
КS по S 12
ГЦК S |[0,0,0]| и ГЦК Zn |[¼, ¼, ¼]|
ГЦКZn ГЦКS ¼ <111>
ГЦК плотнейшая упаковка, образованная атомами S, четыре
тетраэдрические пустоты которой заняты атомами Zn

31.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Сфалерита
В структурном типе ZnS
(цинковой обманки)
кристаллизуются
соединения типа AIIIBV
1
1
n 8 6 4 8
8
2 Zn
S
КZn по Zn12
КZn по S 4
КS по Zn 4
КS по S 12
ГЦК S |[0,0,0]| и ГЦК Zn |[¼, ¼, ¼]|
ГЦКZn ГЦКS ¼ <111>
ГЦК плотнейшая упаковка, образованная атомами S, четыре
тетраэдрические пустоты которой заняты атомами Zn

32.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Флюорита
Структурой типа флюорита
обладают соединения
CaF2, BaF2

33.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Флюорита
Структурой типа флюорита
обладают соединения
CaF2, BaF2
1
1
n 8 6 8 4 8 12
8
2 F
Са

34.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Флюорита
Структурой типа флюорита
обладают соединения
CaF2, BaF2
1
1
n
8
6
8
4
8
1
2
8
2
F
С
а
КCa по F 8
КCa по Ca12
КF по F 12
КF по Ca 4

35.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Флюорита
Структурой типа флюорита
обладают соединения
CaF2, BaF2
1
1
n
8
6
8
4
8
1
2
8
2
F
С
а
КCa по F 8
КCa по Ca12
КF по F 12
КF по Ca 4

36.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Флюорита
Структурой типа флюорита
обладают соединения
CaF2, BaF2
1
1
n
8
6
8
4
8
1
2
8
2
F
С
а
КCa по F 8
КCa по Ca12
КF по F 12
КF по Ca 4

37.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Флюорита
Структурой типа флюорита
обладают соединения
CaF2, BaF2
1
1
n
8
6
8
4
8
1
2
8
2
F
С
а
КCa по F 8
КCa по Ca12
КF по F 12
КF по Ca 4

38.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Флюорита
Структурой типа флюорита
обладают соединения
CaF2, BaF2
1
1
n
8
6
8
4
8
1
2
8
2
F
С
а
КCa по F 8
КCa по Ca12
КF по F 12
КF по Ca 4
ГЦК Ca |[0,0,0]| ГЦК F |[1/4,1/4,1/4]| ГЦК F |[3/4,3/4,3/4]|

39.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Флюорита
Структурой типа флюорита
обладают соединения
CaF2, BaF2
1
1
n
8
6
8
4
8
1
2
8
2
F
С
а
КCa по F 8
КCa по Ca12
КF по F 12
КF по Ca 4
ГЦК Ca |[0,0,0]| ГЦК F |[1/4,1/4,1/4]| ГЦК F |[3/4,3/4,3/4]|

40.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Флюорита
Структурой типа флюорита
обладают соединения
CaF2, BaF2
1
1
n
8
6
8
4
8
1
2
8
2
F
С
а
КCa по F 8
КCa по Ca12
КF по F 12
КF по Ca 4
ГЦК Ca |[0,0,0]| ГЦК F |[1/4,1/4,1/4]| ГЦК F |[3/4,3/4,3/4]|
ГЦКF ГЦКF ГЦКCa 1/4, 3/4 <111>.

41.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Флюорита
Структурой типа флюорита
обладают соединения
CaF2, BaF2
1
1
n
8
6
8
4
8
1
2
8
2
F
С
а
КCa по F 8
КCa по Ca12
КF по F 12
КF по Ca 4
ГЦК Ca |[0,0,0]| ГЦК F |[1/4,1/4,1/4]| ГЦК F |[3/4,3/4,3/4]|
ГЦКF ГЦКF ГЦКCa 1/4, 3/4 <111>.

42.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Флюорита
Структурой типа флюорита
обладают соединения
CaF2, BaF2
1
1
n
8
6
8
4
8
1
2
8
2
F
С
а
КCa по F 8
КCa по Ca12
КF по F 12
КF по Ca 4
ГЦК Ca |[0,0,0]| ГЦК F |[1/4,1/4,1/4]| ГЦК F |[3/4,3/4,3/4]|
ГЦКF ГЦКF ГЦКCa 1/4, 3/4 <111>.
ГЦК плотнейшая упаковка, образованная атомами Ca, все тетраэдрические
пустоты которой заняты атомами F

43.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Поваренной соли (NaCl)
Структурой типа NaCl
обладают соединения из
группы AIVBVI:
PbS, PbSe, PbTe

44.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Поваренной соли (NaCl)
Структурой типа NaCl
обладают соединения из
группы AIVBVI:
PbS, PbSe, PbTe
1
1
1
n 12 1 8 6 4 4 8
4
8
2
Na
Cl

45.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Поваренной соли (NaCl)
Структурой типа NaCl
обладают соединения из
группы AIVBVI:
PbS, PbSe, PbTe
1
1
1
n
1
2
1
8
6
4
4
8
4
8
2
N
a
C
l
КNa по Cl 6
КNa по Na12
КCl по Cl 12
КCl по Na 6

46.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Поваренной соли (NaCl)
Структурой типа NaCl
обладают соединения из
группы AIVBVI:
PbS, PbSe, PbTe
1
1
1
n
1
2
1
8
6
4
4
8
4
8
2
N
a
C
l
КNa по Cl 6
КNa по Na12
КCl по Cl 12
КCl по Na 6

47.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Поваренной соли (NaCl)
Структурой типа NaCl
обладают соединения из
группы AIVBVI:
PbS, PbSe, PbTe
КNa по Cl 6
КNa по Na12
КCl по Cl 12
КCl по Na 6

48.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Поваренной соли (NaCl)
Структурой типа NaCl
обладают соединения из
группы AIVBVI:
PbS, PbSe, PbTe
1
1
1
n
1
2
1
8
6
4
4
8
4
8
2
N
a
C
l
КNa по Cl 6
КNa по Na12
КCl по Cl 12
КCl по Na 6

49.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Поваренной соли (NaCl)
Структурой типа NaCl
обладают соединения из
группы AIVBVI:
PbS, PbSe, PbTe
1
1
1
n
1
2
1
8
6
4
4
8
4
8
2
N
a
C
l
КNa по Cl 6
КNa по Na12
КCl по Cl 12
КCl по Na 6

50.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Поваренной соли (NaCl)
Структурой типа NaCl
обладают соединения из
группы AIVBVI:
PbS, PbSe, PbTe
1
1
1
n
1
2
1
8
6
4
4
8
4
8
2
N
a
C
l
КNa по Cl 6
КNa по Na12
КCl по Cl 12
КCl по Na 6
ГЦКCl |[0,0,0]| ГЦКNa |[0,0,1/2]|

51.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Поваренной соли (NaCl)
Структурой типа NaCl
обладают соединения из
группы AIVBVI:
PbS, PbSe, PbTe
1
1
1
n
1
2
1
8
6
4
4
8
4
8
2
N
a
C
l
КNa по Cl 6
КNa по Na12
КCl по Cl 12
КCl по Na 6
ГЦКCl |[0,0,0]| ГЦКNa |[0,0,1/2]|
ГЦКNa ГЦКCl 1/2 <100>

52.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Поваренной соли (NaCl)
Структурой типа NaCl
обладают соединения из
группы AIVBVI:
PbS, PbSe, PbTe
1
1
1
n
1
2
1
8
6
4
4
8
4
8
2
N
a
C
l
КNa по Cl 6
КNa по Na12
КCl по Cl 12
КCl по Na 6
ГЦКCl |[0,0,0]| ГЦКNa |[0,0,1/2]|
ГЦКNa ГЦКCl 1/2 <100>
ГЦК плотнейшая упаковка, образованная атомами Cl, все октаэдрические
пустоты которой заняты атомами Na

53.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Вюртцита
Гексагональная
модификация ZnS. Этой
структурой обладают
соединения AIIBVI

54.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Вюртцита
Гексагональная
модификация ZnS. Этой
структурой обладают
соединения AIIBVI
1
1
n 4 4 1
12 6
S
1
1
2 2 1 2 2 4
3 6
Zn

55.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Вюртцита
Гексагональная
модификация ZnS. Этой
структурой обладают
соединения AIIBVI
1
1
n 4 4 1
12 6
S
1
1
2 2 1 2 2 4
3 6
ГZn по S 4
ГZn по Zn12
Г S по Zn 4
Г S по S 12
Zn

56.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Вюртцита
Гексагональная
модификация ZnS. Этой
структурой обладают
соединения AIIBVI
1
1
n 4 4 1
12 6
S
1
1
2 2 1 2 2 4
3 6
ГZn по S 4
ГZn по Zn12
Г S по Zn 4
Г S по S 12
Zn

57.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Вюртцита
Гексагональная
модификация ZnS. Этой
структурой обладают
соединения AIIBVI
1
1
n 4 4 1
12 6
S
1
1
2 2 1 2 2 4
3 6
ГZn по S 4
ГZn по Zn12
Г S по Zn 4
Г S по S 12
Zn

58.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Вюртцита
Гексагональная
модификация ZnS. Этой
структурой обладают
соединения AIIBVI
1
1
n 4 4 1
12 6
S
1
1
2 2 1 2 2 4
3 6
ГZn по S 4
ГZn по Zn12
Г S по Zn 4
Г S по S 12
Zn

59.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Вюртцита
Гексагональная
модификация ZnS. Этой
структурой обладают
соединения AIIBVI
1
1
n 4 4 1
12 6
S
1
1
2 2 1 2 2 4
3 6
Zn
ГZn по S 4
ГZn по Zn12
Г S по Zn 4
Г S по S 12
ГПУZn ГПУS 1/3 <0001>

60.

Кристаллохимический анализ
типичных полупроводниковых структур.
Структурный тип Вюртцита
Гексагональная
модификация ZnS. Этой
структурой обладают
соединения AIIBVI
1
1
n 4 4 1
12 6
S
1
1
2 2 1 2 2 4
3 6
Zn
ГZn по S 4
ГZn по Zn12
Г S по Zn 4
Г S по S 12
ГПУZn ГПУS 1/3 <0001>
ГПУ плотнейшая упаковка, образованная атомами S, в двух
тетраэдрических пустотах которой находятся атомы Zn

61.

Определение ретикулярной плотности плоскостей и
направлений
Задача: Определить ретикулярную плотность атомов в плоскости ( 1 11) в структуре InSb.

62.

Определение ретикулярной плотности плоскостей и
направлений
Задача: Определить ретикулярную плотность атомов в плоскости ( 1 11) в структуре InSb.
Решение: InSb относится к структурному типу сфалерита. Строим заданную плоскость
в пределах элементарной ячейки с кристаллографическими индексами ( 1 11)
Для этого необходимо правильно выбрать точку начала координат

63.

Определение ретикулярной плотности плоскостей и
направлений
Задача: Определить ретикулярную плотность атомов в плоскости ( 1 11) в структуре InSb.
Решение: InSb относится к структурному типу сфалерита. Строим заданную плоскость
в пределах элементарной ячейки с кристаллографическими индексами ( 1 11)
Для этого необходимо правильно выбрать точку начала координат
Индексы плоскости показывают на
сколько частей плоскость делит
единичный отрезок:
- по оси X отрицательный отрезок,
отсеиваем узлы решетки, из которых
при в отрицательном направлении
мы выходим за пределы
элементарной ячейки

64.

Определение ретикулярной плотности плоскостей и
направлений
Задача: Определить ретикулярную плотность атомов в плоскости ( 1 11) в структуре InSb.
Решение: InSb относится к структурному типу сфалерита. Строим заданную плоскость
в пределах элементарной ячейки с кристаллографическими индексами ( 1 11)
Для этого необходимо правильно выбрать точку начала координат
Индексы плоскости показывают на
сколько частей плоскость делит
единичный отрезок:
- по оси X отрицательный отрезок,
отсеиваем узлы решетки, из которых
при в отрицательном направлении
мы выходим за пределы
элементарной ячейки
- по оси Y положительный отрезок

65.

Определение ретикулярной плотности плоскостей и
направлений
Задача: Определить ретикулярную плотность атомов в плоскости ( 1 11) в структуре InSb.
Решение: InSb относится к структурному типу сфалерита. Строим заданную плоскость
в пределах элементарной ячейки с кристаллографическими индексами ( 1 11)
Для этого необходимо правильно выбрать точку начала координат
Индексы плоскости показывают на
сколько частей плоскость делит
единичный отрезок:
- по оси X отрицательный отрезок,
отсеиваем узлы решетки, из которых
при в отрицательном направлении
мы выходим за пределы
элементарной ячейки
- по оси Y положительный отрезок
- по оси Z положительный отрезок

66.

Определение ретикулярной плотности плоскостей и
направлений
Задача: Определить ретикулярную плотность атомов в плоскости ( 1 11) в структуре InSb.
Решение: InSb относится к структурному типу сфалерита. Строим заданную плоскость
в пределах элементарной ячейки с кристаллографическими индексами ( 1 11)
Для этого необходимо правильно выбрать точку начала координат
Индексы плоскости показывают на
сколько частей плоскость делит
единичный отрезок:
- по оси X отрицательный отрезок,
отсеиваем узлы решетки, из которых
при в отрицательном направлении
мы выходим за пределы
элементарной ячейки
- по оси Y положительный отрезок
- по оси Z положительный отрезок
Далее устанавливаем систему координат

67.

Определение ретикулярной плотности плоскостей и
направлений
Задача: Определить ретикулярную плотность атомов в плоскости ( 1 11) в структуре InSb.
Решение: InSb относится к структурному типу сфалерита. Строим заданную плоскость
в пределах элементарной ячейки с кристаллографическими индексами ( 1 11)
Для этого необходимо правильно выбрать точку начала координат
Индексы плоскости показывают на
сколько частей плоскость делит
единичный отрезок:
- по оси X отрицательный отрезок,
отсеиваем узлы решетки, из которых
при в отрицательном направлении
мы выходим за пределы
элементарной ячейки
- по оси Y положительный отрезок
- по оси Z положительный отрезок
Далее устанавливаем систему координат и
откладываем соответствующие отрезки на осях

68.

Определение ретикулярной плотности плоскостей и
направлений
Задача: Определить ретикулярную плотность атомов в плоскости ( 1 11) в структуре InSb.
Решение: InSb относится к структурному типу сфалерита. Строим заданную плоскость
в пределах элементарной ячейки с кристаллографическими индексами ( 1 11)
Для этого необходимо правильно выбрать точку начала координат
Индексы плоскости показывают на
сколько частей плоскость делит
единичный отрезок:
- по оси X отрицательный отрезок,
отсеиваем узлы решетки, из которых
при в отрицательном направлении
мы выходим за пределы
элементарной ячейки
- по оси Y положительный отрезок
- по оси Z положительный отрезок
Далее устанавливаем систему координат и
откладываем соответствующие отрезки на осях,
выделяем искомую плоскость в ячейке и
изображаем ее отдельно

69.

Определение ретикулярной плотности плоскостей и
направлений
Задача: Определить ретикулярную плотность атомов в плоскости ( 1 11) в структуре InSb.
Решение: InSb относится к структурному типу сфалерита. Строим заданную плоскость
в пределах элементарной ячейки с кристаллографическими индексами ( 1 11)
Для этого необходимо правильно выбрать точку начала координат

70.

Определение ретикулярной плотности плоскостей и
направлений
Задача: Определить ретикулярную плотность атомов в плоскости ( 1 11) в структуре InSb.
Решение: InSb относится к структурному типу сфалерита. Строим заданную плоскость
в пределах элементарной ячейки с кристаллографическими индексами ( 1 11)
Для этого необходимо правильно выбрать точку начала координат
n( hkl)
*
d ( hkl)
,
S ( hkl)
где n(hkl) - число структурных единиц, лежащих в плоскости;
S(hkl) - площадь плоскости.

71.

Определение ретикулярной плотности плоскостей и
направлений
Задача: Определить ретикулярную плотность атомов в плоскости ( 1 11) в структуре InSb.
Решение: InSb относится к структурному типу сфалерита. Строим заданную плоскость
в пределах элементарной ячейки с кристаллографическими индексами ( 1 11)
Для этого необходимо правильно выбрать точку начала координат
n( hkl)
*
d ( hkl)
,
S ( hkl)
где n(hkl) - число структурных единиц, лежащих в плоскости;
S(hkl) - площадь плоскости.
d (*111)
n(111)
S(111)
1 1
3 3
6 2

72.

Определение ретикулярной плотности плоскостей и
направлений
Задача: Определить ретикулярную плотность атомов в плоскости ( 1 11) в структуре InSb.
Решение: InSb относится к структурному типу сфалерита. Строим заданную плоскость
в пределах элементарной ячейки с кристаллографическими индексами ( 1 11)
Для этого необходимо правильно выбрать точку начала координат
n( hkl)
*
d ( hkl)
,
S ( hkl)
где n(hkl) - число структурных единиц, лежащих в плоскости;
S(hkl) - площадь плоскости.
1 1
3 3
d (*111)
6 2
S (111) a 2 3
2
n(111)

73.

Определение ретикулярной плотности плоскостей и
направлений
Задача: Определить ретикулярную плотность атомов в плоскости ( 1 11) в структуре InSb.
Решение: InSb относится к структурному типу сфалерита. Строим заданную плоскость
в пределах элементарной ячейки с кристаллографическими индексами ( 1 11)
Для этого необходимо правильно выбрать точку начала координат
n( hkl)
*
d ( hkl)
,
S ( hkl)
1
1
3 3
4
d (*111)
6 2
.
2
S (111)
a 3
2 3
a
где n(hkl) - число структурных единиц, лежащих в плоскости;
2
S(hkl) - площадь плоскости.
n(111)

74.

Определение ретикулярной плотности плоскостей и
направлений
Задача: Определить ретикулярную плотность атомов в направлении [110] в структуре CaF2

75.

Определение ретикулярной плотности плоскостей и
направлений
Задача: Определить ретикулярную плотность атомов в направлении [110] в структуре CaF2
Решение: Ретикулярная плотность направления рассчитывается по формуле:
n uvw
*
d uvw
,
l uvw
где n[uvw] - число структурных единиц, лежащих вдоль направления;
l[uvw] - длина направления

76.

Определение ретикулярной плотности плоскостей и
направлений
Задача: Определить ретикулярную плотность атомов в направлении [110] в структуре CaF2
Решение: Ретикулярная плотность направления рассчитывается по формуле:
n uvw
*
d uvw
,
l uvw
где n[uvw] - число структурных единиц, лежащих вдоль направления;
l[uvw] - длина направления
Выделяем направление в пределах элементарной ячейки CaF2. Зная индексы направления
можно определить отрезки, которые буду равны проекциям данного направления на
соответствующие оси, для этого необходимо разделить на самое большое число в
индексах.
Устанавливаем начало координат
по схеме предложенной ранее:
- по оси Х – положительное направление

77.

Определение ретикулярной плотности плоскостей и
направлений
Задача: Определить ретикулярную плотность атомов в направлении [110] в структуре CaF2
Решение: Ретикулярная плотность направления рассчитывается по формуле:
n uvw
*
d uvw
,
l uvw
где n[uvw] - число структурных единиц, лежащих вдоль направления;
l[uvw] - длина направления
Выделяем направление в пределах элементарной ячейки CaF2. Зная индексы направления
можно определить отрезки, которые буду равны проекциям данного направления на
соответствующие оси, для этого необходимо разделить на самое большое число в
индексах.
Устанавливаем начало координат
по схеме предложенной ранее:
- по оси Х – положительное направление
- по оси Y – положительное направление

78.

Определение ретикулярной плотности плоскостей и
направлений
Задача: Определить ретикулярную плотность атомов в направлении [110] в структуре CaF2
Решение: Ретикулярная плотность направления рассчитывается по формуле:
n uvw
*
d uvw
,
l uvw
где n[uvw] - число структурных единиц, лежащих вдоль направления;
l[uvw] - длина направления
Выделяем направление в пределах элементарной ячейки CaF2. Зная индексы направления
можно определить отрезки, которые буду равны проекциям данного направления на
соответствующие оси, для этого необходимо разделить на самое большое число в
индексах.
Устанавливаем начало координат
по схеме предложенной ранее:
- по оси Х – положительное направление
- по оси Y – положительное направление
- по оси Z - 0

79.

Определение ретикулярной плотности плоскостей и
направлений
Задача: Определить ретикулярную плотность атомов в направлении [110] в структуре CaF2
Решение: Ретикулярная плотность направления рассчитывается по формуле:
n uvw
*
d uvw
,
l uvw
где n[uvw] - число структурных единиц, лежащих вдоль направления;
l[uvw] - длина направления
Выделяем направление в пределах элементарной ячейки CaF2. Зная индексы направления
можно определить отрезки, которые буду равны проекциям данного направления на
соответствующие оси, для этого необходимо разделить на самое большое число в
индексах.
Устанавливаем начало координат
по схеме предложенной ранее:
- по оси Х – положительное направление
- по оси Y – положительное направление
- по оси Z – 0
Далее, откладываем на соответствующих
осях отрезки, равные проекциям
направления на ось и проводим перпендикуляр
в эту точку

80.

Определение ретикулярной плотности плоскостей и
направлений
Задача: Определить ретикулярную плотность атомов в направлении [110] в структуре CaF2
Решение: Ретикулярная плотность направления рассчитывается по формуле:
n uvw
*
d uvw
,
l uvw
где n[uvw] - число структурных единиц, лежащих вдоль направления;
l[uvw] - длина направления
Выделяем направление в пределах элементарной ячейки CaF2. Зная индексы направления
можно определить отрезки, которые буду равны проекциям данного направления на
соответствующие оси, для этого необходимо разделить на самое большое число в
индексах.
Устанавливаем начало координат
по схеме предложенной ранее:
- по оси Х – положительное направление
- по оси Y – положительное направление
- по оси Z – 0
Далее, откладываем на соответствующих
осях отрезки, равные проекциям
направления на ось и проводим перпендикуляр
в эту точку

81.

Определение ретикулярной плотности плоскостей и
направлений
Задача: Определить ретикулярную плотность атомов в направлении [110] в структуре CaF2
Решение: Ретикулярная плотность направления рассчитывается по формуле:
n uvw
*
d uvw
,
l uvw
где n[uvw] - число структурных единиц, лежащих вдоль направления;
l[uvw] - длина направления
Выделяем направление в пределах элементарной ячейки CaF2. Зная индексы направления
можно определить отрезки, которые буду равны проекциям данного направления на
соответствующие оси, для этого необходимо разделить на самое большое число в
индексах.
Устанавливаем начало координат
по схеме предложенной ранее:
- по оси Х – положительное направление
- по оси Y – положительное направление
- по оси Z – 0
Далее, откладываем на соответствующих
осях отрезки, равные проекциям
направления на ось и проводим перпендикуляр
в эту точку

82.

Определение ретикулярной плотности плоскостей и
направлений
Задача: Определить ретикулярную плотность атомов в направлении [110] в структуре CaF2
Решение: Ретикулярная плотность направления рассчитывается по формуле:
n uvw
*
d uvw
,
l uvw
где n[uvw] - число структурных единиц, лежащих вдоль направления;
l[uvw] - длина направления
Выделяем направление в пределах элементарной ячейки CaF2. Зная индексы направления
можно определить отрезки, которые буду равны проекциям данного направления на
соответствующие оси, для этого необходимо разделить на самое большое число в
индексах.
Устанавливаем начало координат
по схеме предложенной ранее:
- по оси Х – положительное направление
- по оси Y – положительное направление
- по оси Z – 0
Далее, откладываем на соответствующих
осях отрезки, равные проекциям
направления на ось и проводим перпендикуляр
в эту точку. Точка пересечения всех
перпендикуляров – конец направления.

83.

Определение ретикулярной плотности плоскостей и
направлений
Задача: Определить ретикулярную плотность атомов в направлении [110] в структуре CaF2
Решение: Ретикулярная плотность направления рассчитывается по формуле:
n uvw
*
d uvw
,
l uvw
где n[uvw] - число структурных единиц, лежащих вдоль направления;
l[uvw] - длина направления
Выделяем направление в пределах элементарной ячейки CaF2. Зная индексы направления
можно определить отрезки, которые буду равны проекциям данного направления на
соответствующие оси, для этого необходимо разделить на самое большое число в
индексах.
Устанавливаем начало координат
по схеме предложенной ранее:
- по оси Х – положительное направление
- по оси Y – положительное направление
- по оси Z – 0
Далее, откладываем на соответствующих
осях отрезки, равные проекциям
направления на ось и проводим перпендикуляр
в эту точку. Точка пересечения всех
перпендикуляров – конец направления.

84.

Определение ретикулярной плотности плоскостей и
направлений
Задача: Определить ретикулярную плотность атомов в направлении [110] в структуре CaF2
Решение: Ретикулярная плотность направления рассчитывается по формуле:
n uvw
*
d uvw
,
l uvw
где n[uvw] - число структурных единиц, лежащих вдоль направления;
l[uvw] - длина направления
Выделяем направление в пределах элементарной ячейки CaF2. Зная индексы направления
можно определить отрезки, которые буду равны проекциям данного направления на
соответствующие оси, для этого необходимо разделить на самое большое число в
индексах.
Выделяем искомое направление, определяем его
упаковку
атомами
и
рассчитываем
ретикулярную плотность

85.

Определение ретикулярной плотности плоскостей и
направлений
Задача: Определить ретикулярную плотность атомов в направлении [110] в структуре CaF2
Решение: Ретикулярная плотность направления рассчитывается по формуле:
n uvw
*
d uvw
,
l uvw
где n[uvw] - число структурных единиц, лежащих вдоль направления;
l[uvw] - длина направления
Выделяем направление в пределах элементарной ячейки CaF2. Зная индексы направления
можно определить отрезки, которые буду равны проекциям данного направления на
соответствующие оси, для этого необходимо разделить на самое большое число в
индексах.
Выделяем искомое направление, определяем его
упаковку
атомами
и
рассчитываем
ретикулярную плотность
d *110
1
2
1
n 110
2
l 110

86.

Определение ретикулярной плотности плоскостей и
направлений
Задача: Определить ретикулярную плотность атомов в направлении [110] в структуре CaF2
Решение: Ретикулярная плотность направления рассчитывается по формуле:
n uvw
*
d uvw
,
l uvw
где n[uvw] - число структурных единиц, лежащих вдоль направления;
l[uvw] - длина направления
Выделяем направление в пределах элементарной ячейки CaF2. Зная индексы направления
можно определить отрезки, которые буду равны проекциям данного направления на
соответствующие оси, для этого необходимо разделить на самое большое число в
индексах.
Выделяем искомое направление, определяем его
упаковку
атомами
и
рассчитываем
ретикулярную плотность
1
2
1
n 110
*
d 110
2
l 110 a 2

87.

Определение ретикулярной плотности плоскостей и
направлений
Задача: Определить ретикулярную плотность атомов в направлении [110] в структуре CaF2
Решение: Ретикулярная плотность направления рассчитывается по формуле:
n uvw
*
d uvw
,
l uvw
где n[uvw] - число структурных единиц, лежащих вдоль направления;
l[uvw] - длина направления
Выделяем направление в пределах элементарной ячейки CaF2. Зная индексы направления
можно определить отрезки, которые буду равны проекциям данного направления на
соответствующие оси, для этого необходимо разделить на самое большое число в
индексах.
Выделяем искомое направление, определяем его
упаковку
атомами
и
рассчитываем
ретикулярную плотность
1
2
1
n
2
110
d *110
2
.
l 110
a 2
a 2