Наносборка низкодефектных монокристаллических слоев карбида

1.

ИНВЕСТИЦИОННЫЙ ПРОЕКТ
НАНОСБОРКА НИЗКОДЕФЕКТНЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СЛОЕВ КАРБИДА
КРЕМНИЯ НА КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИНАХ И ПРОИЗВОДСТВО НА ИХ ОСНОВЕ
НОВЫХ МАТЕРИАЛОВ И ГЕТЕРОСТРУКТУР ДЛЯ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ
ИННОВАЦИОННАЯ КОМПАНИЯ:
ООО «НОВЫЕ КРЕМНЕВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ»
ВЕНЧУРНЫЙ ПАРТНЕР:
ЗАО «ЦЕНТР КОРПОРАТИВНЫХ РЕШЕНИЙ»

2.

РЕЗЮМЕ ПРОЕКТА:
Цель проекта: организация серийного производства новых материалов и
гетероструктур для микро- и оптоэлектроники на основе разработанной
технологии получения бездефектных монокристаллических нанослоев карбида
кремния на кремнии.
Продукт:
Высококачественные монокристаллические слои широкозонных
полупроводников, такие как карбид кремния (SiC), нитрид галлия (GaN), нитрид
алюминия (AlN) и др. толщиной 100 нм – 100 мкм на подложках из кремния
диаметром 4-6 дюймов
Подложка из кремния
Подложка с нанесенным слоем
полупроводниковой структуры
Рынок:
Емкость мирового рынка подложек (SiC, GaN, GaP, GaAs, InP, Sapphire substrates) в
2009г. составила $880 млн. (2009 г.)*, емкость российского рынка –$20 млн.
Рост рынка по различным сегментам составит 20 -70% в год в ближайшие 5-10
лет.*
Инвестиции:
Общая сумма необходимых инвестиций: 30 млн. руб.
Цели инвестиций - разработка промышленных образцов продукции на
кремниевых подложках диаметром 4-6 дюймов, описание технологии
производства и контроля качества, проведение маркетинговых продаж.
Эффективность:
Оборот компании в последний год: 200 млн. руб. (5 год реализации проекта).
Стоимость компании на выходе:
250 млн. руб. (через 2 года с начала Проекта);
600 млн. руб. (через 5 лет).
* По данным компании Yelo Developpement
Схема подложки с нанесенными
слоями полупроводников

3.

ОПИСАНИЕ ПРОДУКТА
Разработан метод и создано опытное производство, позволяющее выращивать на стандартных пластинах
кристаллического кремния слой карбида кремния толщиной от десятой доли до нескольких десятков микрон,
способные сыграть значительную роль в создании новых поколений приборов.

4.

ОПИСАНИЕ ПРОДУКТА: ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ
Изделия на основе кремния являются основным видом полупроводников, применяемых в современной
технике. Основным фактором, характеризующим мировой рынок пластин карбида кремния (SiC), является
постоянный и устойчивый рост потребления и объёма продаж на протяжении последних 10 лет.
Основные потребители конечной продукции, получаемой в результате реализации проекта:
Производители электронных
приборов, работающих в условиях
повышенных температур,
агрессивных сред и
радиоактивных излучений.
Производители мощных
транзисторов и тиристоров, СВЧ
техники и сильноточных
электронных устройств.
Производители светодиодов,
различного рода датчиков,
использующих широкозонные
полупроводники.
Производители бытовой техники.
Производители осветительных
приборов.
Производители акустических
датчиков, ИК-приемников.
Оборонная и космическая
промышленность
Научно-исследовательские
институты и организации.

5.

ОПИСАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ: АКТУАЛЬНОСТЬ ПРОЕКТА
Основным материалом для изготовления полупроводниковых приборов является кремний. В современных
приборах на кремниевую основу наносятся слои широкозонных полупроводников, к которым относятся карбид
кремния, нитрид алюминия, нитрид галлия, оксид цинка, нитрид бора и некоторые другие материалы.
Приборы, как правило, представляют собой многослойные структуры, которые не всегда можно построить на
пластинах кремния. В частности, слой нитрида алюминия, являющийся основой светодиодов, не удается
вырастить на кремниевой подложке из-за существенной разницы в структуре кристаллической решетки. На
существующих в мире производствах первичный слой нитрида алюминия создается на пластинах из
искусственного сапфира. К недостаткам сапфировой подложки относится ее высокая цена, по сравнению с
кремниевой, и отсутствие электрической проводимости, что усложняет технологию производства светодиодов
и дополнительно увеличивает их стоимость.
Сходные проблемы возникают при создании высокочастотных транзисторов, область применения которых
распространяется на широкий спектр устройств связи и радиолокации в диапазоне частот от 1 ГГц и выше
(используются при создании современных радиолокационных комплексов, в частности, на фазированных
антенных решетках для истребителей пятого поколения). Вследствие требования компактности таких систем
и их высокой энерговооруженности на единицу объема, возникает проблема отвода большого количества
тепла. Здесь проявляется еще один недостаток подложек из сапфира – их очень низкая теплопроводность, что
значительно усложняет производство (требуется дополнительная операция по механическому утончению
сапфира, что значительно увеличивает стоимость конечного продукта, как за счет сложности самой операции,
так и за счет уменьшения количества выхода годных экземпляров).
В военной и космической области для увеличения надежности и устойчивости к внешним воздействиям могут
применяться также в качестве подложек пластины из монокристаллического карбида кремния, которые
обладают необходимыми электрофизическими свойствами. Эти пластины в десятки раз дороже сапфировых и,
кроме того, по сути, единственным производителем в мире таких пластин надлежащего качества является
американская фирма «CREE Inc.». В последние годы фирма прекратила поставки материала на мировой рынок
из-за его стратегической значимости и трудностей в наращивании объемов производства.

6.

ОПИСАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ: ХАРАКТЕРИСТИКА РАЗРАБОТКИ
В 1998-2009 годах в ИПМаш РАН в городе Санкт-Петербург при частном финансировании ООО «НКТ» и под
руководством профессора Кукушкина С.А. был разработан метод и создано опытное производство,
позволяющее выращивать на стандартных пластинах кристаллического кремния слой карбида кремния
толщиной от десятой доли до нескольких десятков микрон. Такая подложка может стать основой для
многослойной структуры светодиода и транзистора, так как на неё известными методами ложится
качественный слой нитрида алюминия.
Цена пластины кристаллического кремния с нанослоем карбида кремния, пригодным для создания
полупроводниковой структуры, до десяти раз дешевле пластины из сапфира и до нескольких сотен раз
дешевле пластин из монокристаллического карбида кремния и при этом не уступают им по
электрофизическим характеристикам, надежности и способности работать при повышенных температурах и
высоких уровнях ионизирующего излучения. Кроме того размер пластин со слоем карбида кремния может
быть более чем в три раза больше чем максимальный размер пластины из искусственного сапфира, что
существенно отражается на цене конечного продукта.
Пластины карбида кремния на кремнии с толщиной слоя карбида до тридцати микрон отличный материал для
производства диодов Шотки, полевых транзисторов и тиристоров, пригодных для создания
высоковольтных выпрямителей напряжением до 2Кв большой мощности, а также компактных выпрямителей и
систем управления для бытовых приборов. Компактность и низкие тепловые потери выпрямителей на основе
карбида кремния позволит, например, помещать их внутрь корпусов ноутбуков, что исключит применение
тяжелых и неудобных внешних зарядных устройств.
Еще один класс приборов, для которых применение нового материала, карбида кремния на кремнии, даст
сильный технологический и экономический эффекты – это датчики на поверхностных акустических волнах,
в которых основным материалом служит нитрид алюминия. В рамках проекта разработан новый метод
создания мембран на основе пленок нитрида алюминия и пленок сегнетоэлектриков на кремниевой подложке,
с использованием в качестве промежуточного слоя карбида кремния толщиной от десятых долей микрона.
Отдельным свойством нового материала является его способность к фотоэлектрическому эффекту, которая в
два – три раза выше, чем у аналогичных образцов полупроводникового кремния, используемого сейчас для
производства солнечных элементов.

7.

ПРЕИМУЩЕСТВА ТЕХНОЛОГИИ:
Дешевый и эффективный способ получения буферных слоев наномасштабного карбида кремния
на кремнии для роста широкозонных полупроводников;
Удачное сочетание свойств SiC и Si, наличие широких возможностей по интеграции электроники
на основе широкозонных полупроводников с кремниевой электроникой (возможность
использования значительных производственных и технологических возможностей кремниевой
индустрии);
Низкая себестоимость производства, превышающая среднюю себестоимость производства
кремниевой пластины (основы) того же диаметра всего в 1,5-2 раза, что в десятки и сотни раз
ниже, чем у конкурирующих технологий.
Новые технологические возможности:
возможность получения кубических и гексагональных политипов карбида
кремния на кремнии, что недоступно при других методиках.
возможность выращивать гетероструктуры (SiC/4H-SiC/3C-SiC/Si/нанопоры в Si)
для создания высокоэффективных элементов солнечных батарей.
возможность создания конденсаторных структур нового поколения
Pt/PbZrTiO3/SiC/Si и Si/SiC/AlN/PbZrTiO3 являющихся основой для производства
энергонезависимой памяти на основе тонкопленочного сегнетоэлектрического
полевого транзистора и пироэлектрических датчиков, стабильно работающих в
широком диапазоне температур.

8.

АНАЛИЗ РЫНКА: СЕГМЕНТИРОВАНИЕ
Сегменты по географическому признаку :
Основные регионы потребления пластин карбида
кремния: рынок США, рынок Азии, рынок стран
Европейского Союза.
Доли различных типов подложек на рынке*:
* По данным компании Yelo Developpement

9.

АНАЛИЗ РЫНКА: РЫНОК ПРИМЕНЕНИЯ
Рынки применений SiC/GaN подложек, тенденции*:
Рынки применений SiC/GaN
подложек в силовой электронике*:
EV (Electric Vehicle) – электромобили
HEV (Hybrid Electric Vehicle) - гибридное транспортное средство
FCV (Fuel Cell Vehicles - автомобили на топливных элементах
UPS (Uninterruptible Power Supplies) – источники бесперебойного
питания
PFC (Power Factor Correction) – силовые фильтры
HB-LEDs ( high-brightness light-emitting diodes) – яркие светодиоды
RF (Radio Frequency) – радио диапазон частот
MESFET (Metal-Semiconductor Field-Effect-Transistors ) - полевые
транзисторы на основе перехода металл-полупроводник
* По данным компании Yelo Developpement

10.

АНАЛИЗ РЫНКА: ОБЪЕМЫ ПО ГОДАМ
Объёмы по годам, прогнозы*:
1) Рынок устройств на основе SiC подложек
2) Рынок сапфировых подложек
3) Рынок устройств на основе GaN подложек
4) Рынок диодов Шотки на основе SiC подложек
* По данным компании Yelo Developpement

11.

АНАЛИЗ РЫНКА: ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ
Современные мировые тенденции полупроводниковой отрасли:
Повышение степени интеграции компонентов, обеспечивающее увеличение их
быстродействия и расширение функциональности при одновременном уменьшении
энергопотребления и стоимости.
Высокие темпы роста объемов производства.
Стремительное повышение роли потребительского сектора. По оценкам IDC, к 2013г. свыше
половины продаж полупроводниковых компонентов будет приходиться на изготовителей
устройств для массового потребителя.
Появление новых технологий, способных изменить всю отрасль радикальным и
непредсказуемым образом. К их числу относятся струйная печать микроэлектронных схем,
светоиспускающие полимеры, углеродные нанотрубки, молекулярные транзисторы и
логические элементы на основе белков и ДНК.

12.

АНАЛИЗ РЫНКА: КОНКУРЕНТЫ
Прямые конкуренты (мировые производители пластин карбида кремния):
американские производители :
«CREE»;
«II-Vi Inc.»;
«Dow Corning»;
«Intrinsic»; «MEMC».
японские производители :
«HOYA»;
«ShinEtsu Chemical»;
«Komatsu Electronic Metals».
европейские производители:
«SiCrystal» (Германия);
«Wacker Siltronic» (Германия);
«Soitec» (Франция);
«Okmetic» (Финляндия).
Пластины промышленного качества на рынок поставляет американская компания «CREE», которая
является практически монополистом на рынке (более 95% SiC подложек компания использует в
собственном производстве электронных компонентов, реализуемые компанией SiC подложки
составляют около 60% рынка). Продукция компании является стратегической и ее приобретение за
пределами США затруднено.
В России производство пластин SiC в промышленном масштабе отсутствует.

13.

КЛЮЧЕВЫЕ ПРЕИМУЩЕСТВА: ПЕРЕЧЕНЬ ДОСТИЖЕНИЙ ПО ПРОЕКТУ
Перечень достижений по проекту:
Лабораторные образцы: к настоящему времени в ходе экспериментов (более 2000) в 99% случаев
получаются высокого качества пленки карбида кремния на кремнии пленки нитридов алюминия
и галлия диаметром до 35мм, однородные по параметрам по всей площади;
Патенты (неполный перечень):
№ патента (заявки)
2286616
(2005103321)
2286617
(2005103322)
2323503
(2006120320)
2330352
(2006138205)
2352019
(2007129834)
2363067
(2008102398)
PCT/RU2006/00067
(WO/2006/085798)
Название
Изобретение «Способ изготовления изделия,
содержащего кремниевую подложку с пленкой из
карбида кремния на ее поверхности»
Патентообладатель(и)
Фонд поддержки науки и образования
Изобретение «Способ получения изделия,
содержащего кремниевую подложку с пленкой из
карбида кремния на ее поверхности»
Фонд поддержки науки и образования
Общество с ограниченной ответственностью "Кристалл"
10.02.200510.02.2025
Изобретение «Способ обработки поверхности
монокристаллической пластины кремния»
Общество с ограниченной ответственностью "Кристалл"
(ООО "Кристалл") (RU)
05.06.200605.06.2026
Изобретение «Способ получения
фоточувствительной структуры»
Фонд поддержки науки и образования
31.10.200631.10.2026
Изобретение «Способ изготовления изделия,
содержащего кремниевую подложку с пленкой из
карбида кремния на ее поверхности»
Фонд поддержки науки и образования (RU),
Общество с ограниченной ответственностью "Кристалл"
(RU)
03.08.200703.08.2027
Изобретение «Способ изготовления изделия,
содержащего кремниевую подложку с пленкой из
карбида кремния на ее поверхности»
Фонд поддержки науки и образования (RU)
22.01.2008 22.01.2028
Method for manufacturing of article comprising
silicon substrate with silicon carbide film on its
surface
OOO 'UPRAVLYAUSHAYA KOMPANIYA 'SOZVEZDIE' [RU/RU]
10.02.200510.02.2025
Общество с ограниченной ответственностью "Кристалл"
FOND PODDERZKI NAUKI I OBRAZOVANIYA [RU/RU]
GORDEEV, Sergey Konstantinovich [RU/RU];
KORCHAGINA, Svetlana Borisovna [RU/RU];
KUKUSHKIN, Sergey Arsenievich [RU/RU];
OSIPOV, Andrey Victorovich [RU/RU].
Приоритет
10.02.200510.02.2025

14.

КЛЮЧЕВЫЕ ПРЕИМУЩЕСТВА: РЕЗУЛЬТАТЫ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЙ ЭКСПЕРТИЗЫ
Результаты технологической экспертизы:
Положительное заключение по результатам проведенной научно-технической экспертизы ГК
«Роснанотех».
Положительные решения по результатам всесторонней объективной оценки Фундаментальных
частей проекта в Российском Фонде Фундаментальных Исследований.
Научные публикации по материалам проекта, опубликованные в ведущих отечественных журналах.
Готовые образцы наномасштабного карбида кремния неоднократно подвергались самому
тщательному анализу всеми современными методами исследования в ведущих аналитических
центрах страны и за рубежом, в частности в центре коллективного пользования ФТИ им. А.Ф. Иоффе,
в Department of Electronic & Electrical Engineering Triniry College Dublin 2 Ireland, в компании
Technologies and Devices International, Inc.(TDI) (12214 Plum Orchard Dr. Silver Spring. MD,20904 USA, на
Фрязинском заводе мощных транзисторов (директор Печий Ю.М.) и ряде других организаций.
Копии документов о результатах технологической экспертизы, а также отзывы и протоколы испытаний
продукции и применения технологии, предлагаемой к внедрению в рамках данного проекта, приведены
в Приложении.

15.

МОДЕЛЬ РАЗВИТИЯ КОМПАНИИ:
Ключевые факторы успеха:
большая емкость рынка;
высокие темпы роста рынка;
устойчивый спрос;
сильные конкурентные преимущества;
профессиональная научная и управленческая команда.

16.

ИНВЕСТИЦИОННЫЕ ТРАНШИ, СТРУКТУРА СДЕЛКИ:
Состав инвесторов:
ООО «Фонд посевных инвестиций РВК». Сумма инвестиций - 22 млн. рублей единовременно.
ООО «Рубикон». Сумма инвестиций - 8 млн. рублей единовременно.
Структура владения до инвестиций:
ООО «Рубикон» - 97%
Лукьянов А.В. – 3%
Структура владения после инвестиций:
«Фонд поддержки науки и образования» 5%
ООО «Кристалл» 5%
ФПИ РВК -25%
ООО «Рубикон» - 65%
Условия к исполнению по траншам:
Принятие решения по финансированию проекта, единовременный транш на цели реализации проекта после
передачи прав на интеллектуальную собственность в ООО «Новые Кремневые Технологии»

17.

ФИНАНСОВАЯ МОДЕЛЬ:
Срок окупаемости проекта: 4 года
NPV: 100 млн. руб.
ROI, в разах: 5
IRR 82%

18.

ОЦЕНКА КОМПАНИИ, СТРАТЕГИЯ ВЫХОДА:
Чистый дисконтированный доход за последний год: 25 млн. руб. (120 млн. руб. с учетом
терминальной стоимости)
Стоимость всего проекта по DCF: 100 млн. руб.
Ставка дисконтирования NPV : 27%
Капитализация бизнеса по коэффициенту P/E: 700 млн. руб.
Способы выхода : продажа доли в компании стратегическому инвестору.
В роли стратегического инвестора может выступить ГК «Роснанотех», проявившая высокий интерес к
проекту.
В случае отсутствия инвесторов в РФ, стратегическим инвестором может стать лидер рынка компания CREE. В 2006 г. компания CREE приобрела INTRINSIC Semiconductor Corporation –
разработчика технологии производства коммерчески доступной SiC пластины с чрезвычайно малой
плотностью дефектов. Сумма сделки составила $46 млн.
Планируемый срок выхода для ООО «ФПИ РВК»: 2 года.
Предполагаемая цена для ФПИ РВК: 65 млн. руб.

19.

РИСКИ:
Перечень рисков и способы их снижения:

20.

КОМАНДА: ИНИЦИАТОРЫ ПРОЕКТА
Лукьянов Андрей Витальевич
Генеральный директор предприятия ООО «Новые Кремневые Технологии»,
административный и финансовый руководитель проекта, ответственный за
выполнение ОКР по проекту и выпуск продукции.
Окончил Ленинградский политехнический институт им. М.И. Калинина по специальности
инженер-физик, «Динамика и прочность машин». Кандидат технических наук.
1996-2002 гг. - член совета директоров и финансовый директор ОАО завода «Трублит».
Совладелец и финансовый директор бизнес-центра «Магнитка», вице-президент Фонда
поддержки науки и образования. С 2000 г. по н/в - генеральный директор ООО «ЭМ ЭНД Ти
Консалтинг». С 1998 года по н/в финансирует работы по росту тонкопленочных
широкозонных полупроводниковых структур на кремниевых подложках.
Кукушкин Сергей Арсеньевич
Заместитель директора предприятия ООО «Новые Кремневые Технологии» по науке,
научный руководитель проекта, ответственный за научное руководство проектом,
постановку экспериментальных, технологических исследований и проведение ОКР.
Окончил Ленинградский технологический институт им. Ленсовета по специальности
инженер химик-технолог. Доктор физико-математических наук, профессор. Сотрудник,
заведующий лабораторией ИП МАШ РАН. Подготовил 8 кандидатов наук и 3-х докторов наук.
Вице президент “Фонда Поддержки Науки и Образования”.
Более 250 публикаций, 1 монография и 7 специализированных обзоров в ведущих
отечественных и зарубежных журналах.
Лауреат Президентской стипендии выдающихся ученых (1998), Соросовский профессор
(1997). Выдвинут на премию Президиума РАН им. П.А. Ребиндера лауреатом Нобелевской
премии академиком РАН Ж.И. Алферовым. Отмечен знаком «Изобретатель СССР».
Участвовал в качестве научного руководителя в реализации 4 проектов с привлечением
инвестиций.

21.

КОМАНДА: ИСПОЛНИТЕЛИ ПРОЕКТА
Жиляев Юрий Васильевич
Ответственный исполнитель, руководитель направления - технология
выращивания слоев нитридов алюминия и галлия на подложке карбида
кремния на кремнии.
Окончил Ленинградский электротехнический институт им. В.И. Ульянова (Ленина)
по специальности инженер электрофизик. Доктор физико-математических наук,
профессор. Сотрудник, заведующий лабораторией Физико-технический институт им.
А.Ф.Иоффе РАН. Более 270 публикаций, 1 монография Участвовал в реализации 4
проектов с привлечением инвестиций. Участвовал в качестве руководителя в
реализации 4 проектов с привлечением инвестиций.
Калинкин Игорь Петрович
Ответственный исполнитель, руководитель работ по направлению «Технология
химической обработки пластин кремния». Ответственный за переход
лабораторной технологии обработки пластин кремния в стадию ОКР.
Окончил Ленинградский технологический институт им. Ленсовета по специальности
инженер-химик технолог. Доктор физико-математических наук, профессор.
Подготовил 23 кандидата наук, из которых 4 защитили докторские диссертации и
получили звание профессора. Более 200 публикаций, 1 монография, 2 практических
руководства, 20 авторских свидетельств и патент на изобретения в области
получения полупроводниковых пленок Отмечен знаком «Изобретатель СССР».
Участвовал в реализации 3 проектов с привлечением инвестиций.

22.

КОМАНДА: ИСПОЛНИТЕЛИ ПРОЕКТА
Осипов Андрей Викторович
Главный научный сотрудник предприятия
ООО “Новые Кремневые Технологии”.
Руководитель направления – теория и компьютерное моделирование роста нанострутур.
Ответственный за экспериментальную и технологическую постановку исследований.
Ответственный за контроль качества слоев методами элипсометрии.
Образование: высшее, Ленинградский государственный университет. Физик. Доктор физикоматематических наук. Старший научный сотрудник ИП МАШ РАН Более 100 публикаций.
Награжден Золотой медалью Европейской академии наук (1998), лауреат Президентской
стипендии молодым ученым (1999), Стипендии фонда Гумбольта (2000-2003), премии
корейской компании “Samsung” (2004). Участвовал в качестве исполнителя реализации 3
проектов и в качестве руководителя 1 проекта с привлечением инвестиций.
Бессолов Василий Николаевич
Ответственный исполнитель по выращиванию слоев нитридов алюминия и галлия на
подложке карбида кремния на кремнии, привлекается на аутсорсинге.
Образование: Высшее. Ленинградский политехнический институт им. М.И.Калинина. Инженер
электронной техники. Кандидат физико-математических наук. Старший научный сотрудник,
заведующий лабораторией Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН.
Участвовал в качестве ответственного исполнителя в реализации 4 проектов с привлечением
инвестиций.
Феоктистов Николай Александрович
Ответственный исполнитель – руководитель экспериментальной и технологической
части проекта – получение и разработка технологии роста нанопленок карбида
кремния на кремнии. Конструирование и создание экспериментальных установок для
роста пленок. Техническая постановка ОКР.
Окончил Ленинградский государственный университет по специальности физика. Кандидат
физико-математических наук. Старший научный сотрудник, Учреждение Российской
академии наук Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН.
Участвовал в качестве ответственного исполнителя в реализации 3 проектов с привлечением
инвестиций.

23.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ:
Расчётные инвестиции в проект составляют: 30 млн. руб. (Seed стадия)
Расчётная стоимость компании составляет: 600 млн. руб. (5 год реализации проекта)
Годовой оборот на последний год составляет: 200 млн. руб. (5 год реализации проекта)
Чистая дисконтированная прибыль за последний год: 25 млн. руб. (5 год реализации проекта)
Чистая дисконтированная прибыль за все годы: 130 млн. руб.