Похожие презентации:
ФОЭ_ Тема 4_2021.09.17
1.
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫЭЛЕКТРОНИКИ
Тема 4
РАДИОКОМПОНЕНТЫ НА ОСНОВЕ
ПОЛУПРОВОДНИКОВ И МЕТАЛЛОВ
2.
Резисторы(линейные и нелинейные)
3.
Промышленные резисторы4.
Параметры терморезисторов5.
Характеристики терморезисторов6.
Строение варистораВАХ варистора и его использование
7.
Параметры варистора8.
Низковольтные варисторы9.
Высоковольтные варисторы10.
Понятие о внутреннем фотоэффекте11.
Характеристики фоторезисторов12.
Эффект Холла и датчики ХоллаДатчик Холла
Датчики положения
Датчик скорости
Датчик тока
УГО датчика Холла
13.
Свойства датчиков Холла14.
Магниторезистивный эффект Гаусса• Без магнитного поля носитель заряда - электрон,
движется вдоль силовых линий и между двумя
столкновениями проходит путь, равный длине
свободного пробега l0.
• В магнитном поле электроны отклоняются от
прямолинейного направления за счет силы
Лоренца и проходят длину l.
• Расчет показывает: l(В) = l0(1 Cm2B2), где С – постоянная; m подвижность.
Искривление траектории равносильно уменьшению vдр или m: проводимость
полупроводника в магнитном поле падает, а его сопротивление растет.
• r 1/l, при малой величине Cm2B2 << 1) значение r(В) изменяется
r(В) =1/[l0(1 Cm2B2)] = r0(1 + Cm2B2); R(В) = R0(1 + Cm2B2),
где r0, R0- параметры образца в отсутствие магнитного поля.
• Полупроводниковые приборы, действие которых основано на эффекте Гаусса,
называются магниторезисторами.
• Характеристики магниторезисторов:
• величина магнитосопротивления – относительное изменение сопротивления
в магнитном поле: DR/R0 = Dr/r0 = (R R0)/R0 = Cm2B2:
• магниторезистивное отношение: R/R0
15.
МагниторезисторыМагниторезисторы — полупроводниковые резисторы, в
которых сопротивление меняется от приложенного
магнитного поля
• Основные параметры: номинальное Ro при отсутствии
магнитного поля (20... 150 ом), магниторезистивное
отношение R/Ro при
В = 0,3 или 1,0 Тл (3...10).
• Отличие от элемента Холла: не требуется управляющего
тока.
• Магниторезистивные датчики применяются для:
- контроля перемещений объектов в робототехнике
- измерения слабых полей (системы навигации,
компенсация поля Земли, электронные и цифровые
компасы и т.д.)
- измерения частоты вращения (КПП, АБС, системы
управления двигателем)
- измерения угловой координаты (например, для
регулировки сидения, в посудомоечных машинах, в
системах рулевого управления, для регулировки фаз и т.д.)
- построения бесконтактных датчиков тока с гальванической
развязкой.
16.
Тензорезисторы17.
Диод ГаннаГенератор высокочастотных (СВЧ) импульсных сигналов
на кристалле арсенида галлия GaAs