Финализация. Требования для начала этапа финализации

1.

ФИНАЛИЗАЦИЯ
Требования для начала этапа финализации:
• Актуальная (требуемая) версия PDK
• Последняя версия схемы / топологии
• Все элементы (ячейки) в статусе checkedIn (в системе контроля версий)
• DRC / LVS без ошибок
• XOR (при необходимости, результат проведения проверки содержит только
корректируемые слои)
• Разрешение главного конструктора на финализацию проекта

2.

ФИНАЛИЗАЦИЯ
Состав процедуры:
• Создание финальной ячейки, содержащей готовую топологию.
• Установка центра кристалла в начало координат
• Создание и размещение специальной защитной рамки (COB)
• Создание и размещение меток на кристалле
• Размещение фиктивных областей
• Формирование специальной иерархической структуры финальной
топологической ячейки
• Финальные проверки DRC / XOR с учетом плотности заполнения
• Финальная проверка LVS
• Экспорт GDS

3.

ФИНАЛИЗАЦИЯ.
Создание финальной ячейки, содержащей готовую топологию.
Формирования имени ячейки / gds
5400ТР045_000_v6_3revA1_01 (БМК)
Название базы или
изделия
Номер зашивки
Версия базы
Ревизия и версия
кристалла
5400ТР045_v1revA_01 (CUSTOM)
Номер передачи

4.

ФИНАЛИЗАЦИЯ
Создание и размещение специальной защитной рамки (COB)
COB (Chip Outline Boundary) – структура,
окружающая топологию изделия в виде
защитного кольца и предназначенная для
предотвращения проникновения трещин
(сколов), образующихся в скрайберной
дорожке во время резки пластины на
кристаллы, в область самого кристалла.
Внешняя граница COB является границей
дорожки скрайбирования

5.

ФИНАЛИЗАЦИЯ
Создание и размещение меток
на кристалле
1 – указатель 1 контактной площадки
+ - пара указателей для захвата
кристалла при авторазварке
NAME – название изделия (базы)
verRev – указание версии и ревизии
кристалл
000 – номер зашивки
VBASE – версия базы
o Верхний слой металлизации (все
корректируемые слои)
o Крупный / разборчивый шрифт
o Отсутствие кириллицы

6.

ФИНАЛИЗАЦИЯ
Размещение фиктивных областей
Для более надежного контроля процессов травления STI и шлифовки были
введены требования к глобальному заполнению АКТИВНЫМИ ОБЛАСТЯМИ
площади кристалла.
Для удовлетворения жестких требований по среднему разбросу значений
длин каналов элементов в чипе введены требования к глобальному
заполнению ОБЛАСТЯМИ ПОЛИКРЕМНИЯ площади
кристалла.
Для уменьшения ПОВРЕЖДЕНИЙ, ИНДУЦИРОВАННЫХ ПЛАЗМОЙ, улучшения
контроля за процессом травления слоев металлизации и контролем толщины
оксида на этапе химикомеханической планаризации (CMP) межслойного
диэлектрика (IMD) были введены требования к
глобальному заполнению ОБЛАСТЯМИ МЕТАЛЛА.

7.

ФИНАЛИЗАЦИЯ
Формирование специальной иерархической структуры финальной
топологической ячейки
5400ТР045_000_v6_4revA_01
5400ТР045_v1revA_01
5400ТР045_BASE_v6_4
COB
МЕТКИ
TOTAL_LAYOUT / SBORKA (ЗАШИВКА)
TOTAL_LAYOUT / SBORKA
5400ТР045_000_v6_4revA_01_COB
5400ТР045_000_v6_4revA_01_COB
5400ТР045_000_v6_4revA_01_DUMMY
5400ТР045_000_v6_4revA_01_DUMMY
5400ТР045_000_v6_4revA_01_BASEDUMMY
COB
МЕТКИ