Характерные размеры и явления микроэлетроники

1.

ХАРАКТЕРНЫЕ РАЗМЕРЫ И ЯВЛЕНИЯ МИКРОЭЛЕТРОНИКИ
-
-
+
+ -
-
+
+
-
+
Si
+
+
+
+
-
-
+ -
+
+
+
-
+
диффузия
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Si
Si
Si
Si
-
-
-
-
-
Si
-
Si
-
-
-
-
B
-
Si
-
-
+
Si
Si
-
Si
-
p-n переход
-
Si
-
-
Si
-
P
-
+
+
+
+
+
-
-
Si
Si
-
Si
+
Si
-
p-типа
-
-
+
+
n-типа
-
-
Si
-
ϕк
-
-
+
-
P+
B-
+
P+
B-
+
+
-
+
P
B
-
+
+
+
дрейф
Si
обедненный
слой
-
iЭ
EЭ
+ + ++ + + + + +
+
+
+ + + + + +++
+
+
+
+ +
++ + +
+
+
+
- +
+ +++ + + + + ++
+ + +
+
+
+
+ + + + + + ++ - +
iБ
+
+ + +
+ +
+ - +
+
+
+
+
+
RК
Si
-
-
iК
Si
-
EК
-
-
-
-
Si
-
-
-
-
-
-
Si
Si
-
-
Si
-
-
-
Si
-
P+
-
-
-
-
-
-
Si
-
Si
-
-
Si
-
Si
-
B-
-
Si
-
-
-
Si
• Характерная толщина барьеров (p-n переход, барьер Шоттки) – 1мкм
• Диффузионная длина – 10 мкм

2.

КВАНТОВО-ВОЛНОВОЙ ДУАЛИЗМ СВЕТА
Свет – волна
• Интерференция
• Дифракция
• Поляризация
Интерференция света
Свет – поток частиц
• Фотоэффект (красная граница)
• Эффект Комптона
Фотоэффект
Эффект Комптона

3.

ГИПОТЕЗА ДЕ-БРОЙЛЯ
Свет – поток частиц
Свет – волна
λ – длина волны
ν – частота волны
E – энергия волны
ℎ