Использование полупроводниковых фотоприемников в космической технике

1. Использование полупроводниковых фотоприемников в космической технике

Сообщение подготовили:
Лейферов Борис Михайлович, кандидат физикоматематических наук, генеральный директор ООО«АУНИВЕРСАЛ КОНСАЛТИНГ»
Цуцманова Наталья Андреевна, ассистент консультанта

2. Дистанционное зондирование Земли

Рисунок 1 – Дистанционное зондирование Земли
2

3. Окна прозрачности в атмосфере

Явление обусловлено, в основном, воздействием молекулярного
поглощения атмосферы.
Поглощение ИК-излучения на многих участках спектра практически
полное. Поэтому говорят о прохождении ИК-излучения в атмосфере
только в некоторых окнах прозрачности. «Окнам «соответствуют
интервалы длин волн ИК-излучения:
=0,95 – 1,05 мкм;
=1,15 – 1,35 мкм;
=1,5 – 1,8 мкм;
=2,1 – 2,4 мкм;
=3,3 – 4,2 мкм;
=4,5 – 5,1 мкм;
=8 – 13 мкм.
Рисунок 2 – Спектр пропускания земной атмосферы
3

4. Строение кристаллической решетки Si

Рисунок 4 – Схема включения донорной примеси
Рисунок 3 – Схематическое
изображение кристаллической
решетки кремния (Si) [1]
4

5. Оптические переходы в полупроводниках

Рисунок 5 – Оптические переходы в
полупроводниках
5

6. Ширина защищенной зоны полупроводниковых материалов

Полупроводник
GaP
Eg (температура), ЭВ
2,259 (300 K)
GaAs
1,435 (300 K); 1,521 (10K)
InAs
Si
0,359 (300 K); 0,42 (4,2 K)
Ge
1,12 (300 K); 1,166 ( 4,2 K)
0,744 (4,2 K)
6

7. Строение зонной структуры основных полупроводниковых материалов

Рисунок 6 – Структура энергетических зон Ge, Si, GaAs
7

8. Зонная структура раствора CdHgTe

Рисунок 7 – Ширина запрещенной зоны в зависимости от
состава Hg/CdTe при 300K [2]
8

9. Фотоприемники на основе ПЗС

Рисунок 9 – Матричный ПЗС со
строчным переносом (схема
подключения)
Рисунок 8 – Матричный ПЗС со строчным
переносом
9

10. Список источников

1 Левинштейн М.Е., Симин Г.С. Знакомство с
полупроводниками / Под ред. Л.Г. Асламазова. – М.:
Наука, 1984.
2 Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая
оптоэлектроника М.: Мир, 1976
10

11.

Спасибо за внимание!
11