Лекции по ФОЭ. Транзисторы. (Часть 3)

1.

Лекции по ФОЭ. Слайд №18
Транзисторы
n
Э
К
p
Б
Э
К
p
n
p
Э
К
n
p
Б
Э
Б
К
Б
n
Э
К
Б

2.

Лекции по ФОЭ. Слайд №19
Eп1
Э
p
Eп2
n
p
К
Rн
Iэ
E1
Б
Iк
E2

3.

Лекции по ФОЭ. Слайд №20
Э
n
p
n
К
Rн
Б
E1
E2

4.

Лекции по ФОЭ. Слайд №16
Диффузионная ёмкость p-n – перехода образуется при подключении
внешнего источника в прямом направлении (U>0).
Инжекция носителей заряда при этом из одной области кристалла в другую приводит к
возникновению около запирающего слоя зарядов противоположной полярности
Cдиф
Qинж
,
U
где ΔQинж – изменение величины инжектированного заряда из одной области в
другую;
Δ U – изменение величины приложенного к p-n переходу напряжения.
Другие типы p-n – переходов . Контакт «металл-полупроводник»
(отсутствует диффузионная ёмкость) – переход Шоттки
Полупроводниковый диод – прибор, содержащий один электронно-дырочный
переход, либо контакт «металл-полупроводник», обладающий вентильными
свойствами.
I
Анод
+
-
Катод

5.

Лекции по ФОЭ. Слайд №17
Классификация диодов
По типу материала- кремниевые, германиевые, из арсенида галлия.
По физической природе процессов – туннельные, светодиоды, фотодиоды и др.
По назначению -выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы и др.
По технологии изготовления p-n- перехода – сплавные, диффузионные и др.