Электронно дырочный переход, р-n переход

1. Электро дырочный переход

Р-N ПЕРЕХОД
+
+
-
+
+
-
-
+
+

2.

p-n-перехо́д или электронно-дырочный переход —
область соприкосновения двух полупроводников с
разными типами проводимости — дырочной (p,
от англ. positive — положительная)
и электронной (n, от англ. negative —
отрицательная). Электрические процессы в p-nпереходах являются основой
работы полупроводниковых приборов с
нелинейной вольт-амперной
характеристикой (диодов, транзисторов и других

3.

4.

5. Из чего делают полупрводник

Полупроводники занимают
промежуточное положение по
проводимости электрического тока
между диэлектриками и
проводниками. Для создания
полупроводниковых приборов в
основном используют германий,
кремний, арсенид галлия и селен.

6.

7. Условное обазначение полупроводника

8.

9. Принцып работы

В проводниках носителями зарядов являются
электроны. В полупроводниках кроме электронов еще
есть, так называемые, дырки. Даже при комнатной
температуре некоторые электроны приобретают
энергию достаточную для отрыва от атома и пускаются
в свободное плавание. Они так и называются свободные электроны.
Дырка - это свободное место в атоме потерявшее
электрон. Но на место дырки может перейти электрон
из соседнего атома и уже он становится "дырявым".
Поэтому дырка, как и электрон, будет блуждать по
кристаллу полупроводника.

10. Р-N

Если при воздействии на кристалл
электрического поля свободные электроны
являются электронами проводимости и создают в
полупроводнике ток, тогда он будет
называться полупроводник с электронной
проводимостью, или проводимостью n-типа.
Электропроводность полупроводника,
получаемая за счет направленного движения
дырок, будет сдырочной проводимостью, или
проводимостью р-типа.

11.

Работа полупроводниковых приборов
основывается на процессах, происходящих при
соединении полупроводников разной
проводимости.
Для их изготовления вводят в чистый
полупроводник примеси, которые делают его с
электронной или дырочной проводимостью.
Границу между обогащенными примесями
областями кристалла р- и n- типа называют p-n
переходом.

12. В следствии диффузии некоторые дырки из области р-типа будут переходить в область n-типа, а свободные электроны в область

13.

Если подать обратное напряжение на катод (+) а на
анод (-) созданное источником напряжения, на
контакты полупроводника ,тогда внешнее
поле созданное источником напряжения, будет
направлено в том же направлении как и поле p-n
перехода которое заставит электроны и дырки
устремятся к контактам с противоположным
потенциалом.

14.

Так вот с этого мы понимаем что полупроводники
пропускают ТОК только в одном направлении. То есть
от Р-типа к N-типу ( от АНОДА к КАТОДУ)
Электрические процессы в p-n-переходах являются
основой работы полупроводниковых приборов с
нелинейной вольт-амперной
характеристикой (диодов, транзисторов и других

15.

А. П. Лысенко, Л. С. Мироненко. Краткая теория
p-n-перехода / Рецензент: проф. Ф. И.
Григорьев. — М.: МИЭМ, 2002.
В. Г. Гусев, Ю. М. Гусев. Электроника. — 2-е
изд. — М.: «Высшая школа», 1991. — 622 с.
https://ru.wikipedia.org/wiki/P-n%D0%BF%D0%B5%D1%80%D0%B5%D1%85%D
0%BE%D0%B4#Литератураhttp://www.radiosamodel.ru/p-n%20perexod.html