Похожие презентации:
Изготовление биполярной ИС с изопланарной изоляцией транзисторов
1. Изготовление биполярной ИС с изопланарной изоляцией транзисторов
2. Создание скрытого коллекторного слоя
• Обработка поверхности пластины кремния p -типа• Окисление
• Фотолитография – формирование рисунка в оксиде
• Загонка мышьяка (диффузия из неограниченного источника)
• Удаление оксида
• Выращивание эпитаксиального слоя кремния n -типа
• Окисление
l3
О2
n
n+
p
3. Создание изолирующих областей
Нанесение нитрида кремния химическим осаждением из газовой фазы
Фотолитография – формирование рисунка в оксиде и нитриде
Травление канавок на половину глубины изолирующих областей
Фотолитография – средняя канавка закрывается фоторезистом
Ионная имплантация бора в канавки
Удаление фоторезиста
Окисление
Удаление нитрида кремния
SiO2
SiO2
p+
SiO2
p+
n
p+
p
n+
n+
p+
4. Создание глубокого коллектора
• Фотолитография – формирование рисунка в оксиде• Загонка фосфора (диффузия из неограниченного источника)
• Окисление с разгонкой примеси
О2
SiO2
SiO2
n+
n+
SiO2
n
p+
p
n+
p+
5. Создание пассивной базы
• Фотолитография – формирование рисунка в оксиде• Загонка бора (диффузия из неограниченного источника)
• Окисление с разгонкой примеси
3
p+
p+
SiO2
SiO2
n+
n+
SiO2
n
p+
p
n+
p+
6. Создание активной базы
• Фотолитография – формирование рисунка в оксиде• Загонка бора (диффузия из неограниченного источника)
• Окисление с разгонкой примеси
О2
p+
SiO2
p
p
SiO2
n+
n+
n
p+
p+
p
SiO2
n+
p+
p+
7. Создание эмиттера
• Фотолитография – формирование рисунка в оксиде• Загонка фосфора (диффузия из неограниченного источника)
• Окисление с разгонкой примеси
p+
SiO2
n++
p
SiO2
n+
n
p+
p
n++
n++
SiO2
n+
p+
8. Создание металлизации
Фотолитография – вскрытие окон в оксиде для создания контактов к областям
Напыление алюминия с 1% кремния
Фотолитография – формирование рисунка в слое металла
Нанесение оксида кремния плазмохимическим методом
Термообработка – «вжигание» контактов
Фотолитография – вскрытие окон в диэлектрике над контактными площадками
p+
SiO2
n++
p
SiO2
n+
n
p+
p
n++
SiO2
n+
p+
9.
Изменения кремниевой структуры со скрытыми слоями приформировании полупроводниковых микросхем по эпипланарной
технологии
10. Изготовление биполярной ИС с щелевой изоляцией транзисторов
11. Создание скрытого коллекторного слоя
• Обработка поверхности пластины кремния p -типа• Загонка мышьяка (диффузия из неограниченного источника)
• Выращивание эпитаксиального слоя кремния n -типа
• Окисление
n
n+
p
12. Создание изолирующих областей
Фотолитография – формирование рисунка в оксиде
Ионное травление канавок до глубины средней канавки
Фотолитография – средняя канавка закрывается фоторезистом
Ионное травление изолирующих канавок
Ионная имплантация бора в канавки
Удаление фоторезиста
Окисление
Осаждение поликремния в канавки
Окисление
n
Si*
Si*
Si*
p+
p+
n+
p
13. Создание глубокого коллектора
• Фотолитография – формирование рисунка в оксиде• Загонка фосфора (диффузия из неограниченного источника)
• Окисление с разгонкой примеси
nn
n+
Si*
Si*
n+
Si*
Si*
Si*
Si*
p+
p+
p+
p+
n+
n+
pp
14. Создание пассивной базы
• Фотолитография – формирование рисунка в оксиде• Загонка бора (диффузия из неограниченного источника)
• Окисление с разгонкой примеси
3
p+
p+
nn
Si*
Si*
Si*
Si*
n+
n+
Si*
Si*
n+
n+
pp
p+
p+
15. Создание активной базы
• Фотолитография – формирование рисунка в оксиде• Загонка бора (диффузия из неограниченного источника)
• Окисление с разгонкой примеси
О2
p
p
nn
p+
p+
Si*
Si*
Si*
Si*
n+
n+
Si*
Si*
n+
n+
pp
p+
p+
p+
p+
16. Создание эмиттера
• Фотолитография – формирование рисунка в оксиде• Загонка фосфора (диффузия из неограниченного источника)
• Окисление с разгонкой примеси
n++
n++
nn
p+
n++
n++
p
p
Si*
Si*
Si*
Si*
n+
n+
Si*
Si*
n+
n+
pp
p+
p+
p+
p+
17. Создание металлизации
Фотолитография – вскрытие окон в оксиде для создания контактов к областям
Напыление алюминия с 1% кремния
Фотолитография – формирование рисунка в слое металла
Нанесение оксида кремния плазмохимическим методом
Термообработка – «вжигание» контактов
Фотолитография – вскрытие окон в диэлектрике над контактными площадками
n++
p+
n++
n
p
Si*
Si*
n+
Si*
n+
p
p+
p+
18. ЭПИК-процесс
Диэлектрическая изоляция элементов19. Формирование скрытого коллекторного слоя
n+20. Анизотропное травление, канавки заполняются поликремнием
n+21. Кремний сошлифовывается
n+22. Формирование базы и эмиттера
n+p+
n+
n+
23.
Схема изготовленияКМОП-КНС-ИМ
24.
25.
Кремний насапфире
Рис. 30 - 32
биполярный
МДП
26.
Гибридная ИСРис. 3
Совмещенная
ИС
Рис. 2
27.
Дискретные транзисторыбиполярный
Рис. 25 - 28
МДП
ПТУП
28.
МДПРис. 33
Рис. 34
29.
ИзопланарРис. 23
Изоляция
V-образными
канавками
Рис. 24
30.
Рис. 19Рис. 20
31.
Рис. 10Рис. 11