Похожие презентации:
Дефекты в кристаллах. Дислокации
1.
Лекция № 8Дефекты в кристаллах
Дислокации
Дислокация – линейный дефект, нарушающий
правильное чередование атомных плоскостей
2.
Сопротивление сдвигу в монокристаллахСдвиг одной плоскости относительно другой
Напряжение сдвига как функция смещения
Краевые и винтовые дислокации:
3.
Краевая дислокацияОбразование краевой дислокации
Структура краевой дислокации
4.
Винтовая дислокацияОбразование краевой дислокации
Структура краевой дислокации
5.
Вектор Бюргерса:- Составить контур из векторов трансляции, замыкающийся
на идеальной решетке (контур Бюргерса)
- Вокруг линии дислокации контур Бюргерса разорван
- Провести линию, соединяющую разрыв (вектор Бюргерса)
Контур Бюргерса – замкнутый контур произвольной формы, простроенный
реальном кристалле, так, что переход от одного атома к другому происходит
последовательно, не выходя из области идеального кристалла.
6.
Энергия дислокацииЭ = Э неупругих искажений в ядре дислокации +
+ Э упругих деформаций вокруг дислокации
7.
Движение дислокацийСкольжение дислокации
Переползание дислокации
8.
ДвойникованиеДвойник – кристалл с закономерно разориентированными
областями, структура которых м. б. описана операцией симметрии
Операции двойникования:
Отражение в плоскости (двойники отражения)
Поворот вокруг кристаллографической оси (аксиальные двойники)
Отражение в точке (двойники инверсии)
Трансляция на часть периода решетки (двойники трансляции)
Комбинация операций
β-кварц. а – поворот вокруг оси
шестого порядка С6 и оси второго
порядка С2. б – отражение, инверсия
и поворот вокруг С6.
9.
Двойникующие дислокации на границе клиновиднойдвойниковой прослойки
10.
Источники дислокацийИсточник Франка-Рида
11.
Дефекты упаковки как примеры двумерных дефектов12.
Частичные дислокацииДислокация
Шокли
Отр. дислокация
Франка
Пол. дислокация
Франка
13.
Границы зерен с малыми углами разориентированияБлочность кристаллов
Горизонтальный ряд
краевых дислокаций
Вертикальный ряд
краевых дислокаций
14.
Метод травления для определения дислокацийВыход дислокаций на плоскость [111]
Дислокации на линии скольжения
Наблюдение движения
дислокаций
15.
Дислокации и рост кристаллов16.
Примеры дислокацийSiC, 165 Å
Al-Mg
17.
Причины появления дислокаций в растущем кристалле1. Прорастание дислокаций из затравки в растущий кристалл
2. Образование дислокаций под действием термических или внешних механических напряжений
18.
Причины появления дислокаций в растущем кристалле3. Образование дислокаций в результате захвата примесей
4. Образование дислокаций при дендритном росте
5. Образование дислокаций в результате распада скоплений вакансий