Похожие презентации:
Полевые транзисторы
1. Полевые транзисторы
2. Определение, принцип действия
Униполярный (полевой) транзистор –полупроводниковый прибор, в котором регулирование тока
производится изменением проводимости проводящего
канала помощью электрического поля.
Оба названия транзистора отражают его особенности:
прохождение тока в канале обусловлено одним типом зарядов –
униполярный; управление током канала осуществляется
электрическим полем – полевой.
Электроды полевого транзистора называются:
• исток (англ. source) — электрод, из которого в
канал входят основные носители заряда;
• сток (англ. drain) — электрод, через который из
канала уходят основные носители заряда;
• затвор (англ. gate) — электрод, служащий для
регулирования поперечного сечения канала.
3.
4.
5. Маркировка полевых транзисторов
6. Классификация полевых транзисторов
7. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом
Полевой транзистор с управляющим p-nпереходомПолевой транзистор с управляющим p-nпереходом – полупроводниковый прибор, в
котором проводимостью канала можно
управлять, подавая напряжение на
закрытый р-n-переход
8.
Структура полевого транзистора с управляющим p-n-переходомприведена на рисунке.
IЗ
ЕЗИ
Канал n-типа
С
З
З
IИ
p
И
Канал
С
И
RС
n
Р
IС
UСИ
UСИ>0, UЗИ<0,
Канал р-типа
С
ЕС
З
И
9. Схемы включения полевых транзисторов
Функциональное назначение полевого транзистора такое же, что ибиполярного. Различают три схемы включения полевого транзистора:
с общим истоком (ОИ)
общим стоком (ОС)
общим затвором (ОЗ).
Наиболее распространены схемы включения транзистора с общим
истоком (ОИ).
10.
IС,мА
UЗИ=0
UЗИ=-1 В
UЗИ=-2В
UЗИ=-3 В
UЗИ=-4 В
Режим обеднения
Стоковые (а) и стоко-затворные (б) характеристики
полевого транзистора.
IС,
мА
Uc=const
UЗИ, отс
UСИ,
Когда суммарное напряжение достигнетВнапряжения запирания:
ширина канала уменьшится, а его сопротивление возрастет. При определенном
значении UЗИ, которое называется напряжением отсечки, ток стока практически не
протекает.
Определение: Напряжением отсечки называется значение напряжения затвористок, при котором ток стока практически равен 0.
11. МДП (МОП) транзистор
Определение:Полевой
транзистор
с
изолированным затвором – транзистор, электрод
затвора
которого
изолирован
от
полупроводникового канала слоем диэлектрика из
двуокиси кремния SiO2.
Полевой транзистор с
изолированным затвором и
встроенным каналом
Полевой транзистор с
изолированным затвором и
встроенным каналом
12. Стоковые (выходные) характеристики
I C f (U СИ ) при UЗИ=constUЗИ=1 В
режим
обогащения
UЗИ=0,5 В
IС
UЗИ=0
режим
обогащения
UЗИ= – 1 В
UСИ
Режим
обеднения
обеднения
UЗИ = – 0,5 В
Режим
IС
UЗИ отс
UЗИ
13.
Полевой транзистор сизолированным затвором и
индуцированным каналом