Похожие презентации:
Электровакуумный диод
1. Электровакуумный диод
AK
подогреватель
1
2. Вольтамперная характеристика диода
Ia,mA1
2
3
Ua,B
2
3. внутренняя проводимость или крутизна характеристики (A/B)
SdI a
, приU K const
dU a
3
4. внутреннее дифференциальное сопротивление диода
dIaRi
, приUk const
dUa
1
Ri (Ом )
S
4
5. Графическое определение параметров диода
Ia,mAdIa
Ua,B
dUa
5
6. параметрическое уравнение диода
S*R=16
7. вакуумный триод
АС
К
подогреватель
7
8. Анодная характеристика
IaUc=const
dIa
dUa
Ua
8
9. Анодно-сеточная характеристика
IaUa=const
dIa
Uc
dUc
9
10. Параметры триода
• первая проводимость или крутизнахарактеристики (А/В)
dIa
S
;Ua const
dUc
10
11.
• вторая проводимость (А/В)dIa
Gi
;Uc const
dUa
11
12.
• внутреннее дифференциальноесопротивление (Ом)
dUa
Ri
;Uc const
dIa
12
13.
• коэффициент усиленияdUa
, Ia const
dUc
13
14.
• параметрическое уравнение триодаSDRi 1, где D
1
14
15. Тетрод с катодной сеткой
Акатодная
сетка (+)
управляющая
сетка (-)
К
15
16. Тетрод с экранирующей сеткой
Ауправляющая
сетка(-)
экранирующая
сетка(+)
К
16
17.
ВАХ тетрода с катодной сеткой (Uкc=10B)Ia,mA
Uс=const
Ua,B
17
18.
ВАХ тетрода с экранирующей сеткойUэ=90В
Ia,mA область динатронного
эффекта
Uc=const
Ua,В
18
19. собственный полупроводник
+4+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
19
20. примесный полупроводник n-типа (P, As, Sb )
фосфор, мышьяк, сурьма+4
+5
+4
+5
20
21. примесный полупроводник р-типа (Al, B, In)
алюминий, бор, индий+3
+4
+4
+
+
+3
21
22. электронно-дырочный переход (p-n переход)
Евнутрn-область
++
++
++
++
-
-
p-область
22
23. Зависимость высоты потенциального барьера от приложенного внешнего напряжения
Рис. аРис. б
Евнутр
n
Евнутр
p
+
-
+
Евнеш
n
-
+
+
p
-
Евнеш
23
24. вольтамперная характеристика p-n перехода
вольтамперная характеристика pn переходаIпр
U обр
I обр
U пр
φk
I обр
24
25. Емкость р-п перехода
С=dQ/dUс
C бар
+U
-U
φk
25
26. Условное обозначение п/п диода
2627. варикап
2728. Вольт-фарадная характеристика варикапа
С, ФU,B
28
29. Параметры варикапа
Добротность варикапаQ
Qc
P
29
30.
Коэффициент перекрытия по емкостиC max
Kc
C min
30
31.
Зависимость Qcот частоты
Qc
Зависимость Qc от
обратного напряжения
Qc
3
1
f,МГц
Uобр,В
31
32. Стабилитрон
Условное обозначение32
33.
ВАХ стабилитронаI,mA
Uст
φk
U,B
Imax
33
34. Дифференциальное сопротивление стабилитрона
dUdA
Ri=dU/dA
34
35. Туннельный диод
Условное обозначение35
36. ВАХ туннельного диода
I,mAImax
Imin
U1
U2
φk
U,B
36
37. Фотодиод
Условное обозначениесвет
37
38. ВАХ фотодиода
φkI,mA
Iт
Ф=0
U,B
Uxx
Ф1
Ф2>Ф1
Iкз
38
39. Светодиод
свет39
40. Спектральная характеристика светодиода
зеленыйкрасный
ИК
I
0,5
0,7
1,0
, мкм
40
41. Биполярный транзистор n-p-n
КК
n
Б
Б
p
n
Э
Э
41
42. Биполярный транзистор p-n-p
КК
p
Б
Б
n
Э
p
Э
42
43. Схема с общим эмиттером
pn
Uбэ
Uкэ
p
43
44. Коэффициент передачи тока базы
i К| U КЭ const
i Б
44
45. Коэффициент передачи тока эмиттера
i К| U КЭ const
iЭ
45
46. Входные характеристики
IБ=f(UБЭ), при UКЭ=constIБ
Uкэ=0
Uкэ 0
|Uкэ|1>|Uкэ|2
UБЭ
46
47. Выходные характеристики
IК=f(UКЭ), при IБ =constIК
iБ3 > iБ2
1
3
iБ2> iБ1
iБ1>0
iБ=0
Uкэ
2
47
48. Характеристики передачи тока
IК=f(IБ), при UКЭ =const48
49. Характеристики обратной связи по напряжению.
UБЭ =f(UКЭ), при IБ constUбэ
Iб2>Iб1
Iб1
Uбэ
Iб=0
Uкэ
Uкэ
49
50. Система h-параметров
• входное сопротивлениеU БЭ
h11
| U КЭ const
I Б
50
51.
• коэффициент обратной связипо напряжению
U БЭ
h12
| I Б const
U КЭ
51
52.
• коэффициент усиления по токуI К
h21
| U КЭ const
I Б
52
53.
• выходная проводимостьI К
h22
| I Б const
U КЭ
53
54. Полевой транзистор
СЗ
С
З
И
n-канал
И
p-канал
54
55. Полевой (униполярный) транзистор
Зслаболегированные
области р-типа
p - тип
И
канал n - типа
С
р - тип
З
55
56. канал почти полностью перекрыт
Зканал п-типа
p - тип
И
С
р - тип
З
56
57. Выходные (стоковые) характеристики
Ic,mAUзи=0
Uзи=0,5В
Uзи=1,5В
Uзи=3В
Uиc,В
57
58. Стокозатворные характеристики
Ic,mAUзи,В
58
59.
• крутизна стокозатворнойхарактеристики
dIc
S
, приUc const
dUзи
59
60.
• внутреннее дифференциальноесопротивление
dUис
R
, приUзи const
dIc
60
61.
• коэффициент усиленияdUис
, приIс const
dUзи
61
62.
ДинисторТиристор
А+
А+
p
p
n
n
упр. электрод
p
p
n
n
К-
К62
63. Схема включения динистора
рn
р
n
+ E 63
64. Эквивалентная схема включения
рБ
n
К
Т1
р
Э
р
К
n
Б
+
n
Э
Т2
E
-
64
65.
ВАХI,mA
Imax
1
Iуд
2
Iвкл
3
Iзкр
4
Uоткр
Uвкл
U,B
65
66. Блок-схема усилителя
Источник питанияИсточник
усиливаемого
сигнала
Усилительный
элемент
Нагрузка
66
67. коэффициенты усиления
UвыхКU
Uвх
;
Iвых
КI
Iвх
Pвых
КP
Pвх
67
68.
РвыхРист
Uвх
Rвх
Iвх
;
Uвых
Rвых
Iвых
68
69.
К К1 К 2 ..... К nК (дБ ) К1 К 2 ... К n
69
70. амплитудная характеристика
Uвых3
U max
D
U min
2
1
Uвх
Umin
Umax
70
71. АЧХ
ККо
0,7Ко
f
fн
fв
71
72. ФЧХ
φfв
fн
f
72
73.
IВХUВХ1
UВХ2
IВЫХ
КU
RН
UВЫХ
UОС
β
73
74.
U ВЫХKU
U ВХ 2
U ОС
U ВЫХ
74
75.
К UосК Uос
U ВЫХ
U ВХ 1
КU
1 K U
75
76. Операционный усилитель
+ЕП-ЕП
_
+
UВХ2
UВХ1
UВЫХ
76
77.
U ВЫХ (U ВХ1 U ВХ 2 )КU ВЫХ U ВХ 2 К
U ВЫХ U ВХ1 К
(U ВХ 1 U ВХ 2 ) U ДИФ
77
78.
UВЫХ,В10
8
6
4
2
UДИФ, мВ
2
4
6
8
10
Передаточная характеристика
78
79.
IкIб
Iэ
Ек
Uвх
Rэ
Uвых
79
80.
ОУUвх
Uвых
80
81.
Iвх = Iист.Iн = Iк
Rи
Rн
Iб
Uвх
Еб
Ек
81
82.
Т1Т2
Uвх
Rн
82
83.
АА
рис. б
рис. а
f
f
fC
fC
А
А
рис. г
рис. в
f
f
f1
f2
f1
f2
83
84.
С1R1
Uвх
R2
а
Ua
С2
(К-1)R
Uвых
R
84
85.
( К 1) RК 1
R
85
86.
R1C1
Uвх
С2
(К-1)R
R2
Uвых
R
86
87.
К1К2
UВХ
C
i
87
88.
внешнееуправление
ус-во управл.
и контроля
ист. перв.
питания
источник
питания
сигналы
защиты и комм.
ус-во защиты
и коммутации
вторичный
ист. пит.
нагрузка
88
89.
U С U С / U СU ВЫХ U ВЫХ / U ВЫХ
89
90.
от сети50 Гц
трансформатор
сглаживающий
фильтр
выпрямитель
к нагрузке
стабилизатор
90
91.
DIвых
UД
UВХ
RН
UВЫХ
91
92.
D4D1
D2
D3
Uвх
Iвых
Uвых
Rн
92
93.
Uвхt
IД1, I Д1
t
93
94.
IД3, I Д4t
Uвых
t
94
95.
DUВХ
IД
С
RН
UВЫХ
95