Отчет по производственной практике на предприятии "Протон-электротекс"

1.

Отчет по производственной практике
на предприятии:
Выполнил студент гр. 71-МХ: Анисин А.А.
Руководитель по производственной практике: Савин Л.А.

2.

Содержание
1. История развития
2. Производство
3. Продукция
4. IGBT транзистор
5. Принцип работы IGBT (БТИЗ)
6. Особенности IGBT (БТИЗ)
7. Сферы применения IGBT (БТИЗ)
8. Освоение CAD-системы SOLIDWORKS
9. Построение в CAD-системе SOLIDWORKS отдельных частей IGBT
модуля с использованием 3D моделирования
• 10. Заключение

3.

История развития Компании
1996 - Год основания АО «ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС». Предприятие было создано
специалистами, которые имели опыт в области микроэлектроники. Первый
самостоятельный проект молодого коллектива - выпуск в 1996 году быстродействующих
полупроводниковых приборов.
1997 - Организовано механическое производство, поставлено более 1О тысяч различных
силовых сборок.
1998 - Предприятие выходит в лидеры отечественной электротехнической промышленности
1998 - Предприятие выходит в лидеры отечественной электротехнической промышленности
2002 - Договор с компанией GvA Leistungselektronik GmbH (Германия)
1998 - Предприятие выходит в лидеры отечественной электротехнической промышленности
2002 - Договор с компанией GvA Leistungselektronik GmbH (Германия)
2003 - Производство силовых полупроводниковых приборов в модульном исполнении
2006 - Была создана дочерняя компания АО «Торговый Дом «ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС».
2009 - Организована техническая приемка продукции представителями ОАО «РЖД»
2010 - Создание совместного российско-китайского предприятия Hebei Proton-Electrotex
Electronic СоLtd в провинции Хебей, КНР
2010- В Москве создан Научно-технический Центр АО «ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС»
2016 - Запуск производства IGВТ-модулей в корпусах MIFA и MIM. До этого более 95% IGBT
поставлялись в Россию из-за рубежа

4. Производство

Для изготовления
биполярных силовых
полупроводниковых
приборов – диодов и
тиристоров – АО «ПротонЭлектротекс» имеет полный
производственный цикл,
развитую инфраструктуру,
современные
технологические линии,
измерительное
оборудование и площади
для «чистых технологий».

5.

Продукция
На сегодняшний день поставляются:
– высоковольтные тиристоры и диоды (на
напряжения до 6500 В) с прецизионно
подобранными характеристиками
обратного восстановления для работы в
последовательных сборках или готовые
последовательные сборки таких
приборов;
Таблеточное
исполнение
Штыревое
исполнение
– Высоковольтные модули с
изолированным основанием на базе
диодных и тиристорных кристаллов
диаметром 24—56 мм
Освоены новые приборы такого типа на
напряжения 4000...6500 В, планируется в
ближайшее время расширить диапазон
напряжений до 8500 В;

6.

IGBT транзистор
Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT)
в переводе на русский: Биполярный Транзистор с
Изолированным Затвором (БТИЗ)
БТИЗ - электронный силовой прибор, который
используется в качестве мощного электронного ключа,
устанавливаемого в импульсные источники питания, инверторы,
а также системы управления электроприводами.
IGBT транзистор - это довольно хитроумный прибор,
который представляет собой гибрид полевого и биполярного
транзистора
Упрощённая эквивалентная схема БТИЗ

7.

Принцип работы IGBT (БТИЗ)
• Весь процесс работы БТИЗ может быть
представлен двумя этапами: как только
подается положительное напряжение,
между затвором и истоком открывается
Со встроенным
быстродействующим диодом
полевой транзистор, то есть образуется n канал между истоком и стоком. При этом
начинает происходить движение зарядов из
Поскольку БТИЗ имеет комбинированную структуру из
полевого и биполярного транзистора, то и его выводы
получили названия затвор - З (управляющий электрод),
эмиттер (Э) и коллектор (К). На зарубежный манер
вывод затвора обозначается буквой G, вывод эмиттера
– E, а вывод коллектора – C.
области n в область p, что влечет за собой
открытие биполярного транзистора, в
результате чего от эмиттера к коллектору
устремляется ток.

8.

Особенности IGBT (БТИЗ)
• Отличительные качества IGBT:
• Управляется напряжением (как любой полевой
транзистор);
• Имеют низкие потери в открытом состоянии;
• Могут работать при температуре более 1000 C;
• Способны работать с напряжением более 1000 Вольт
и мощностями свыше 5 киловатт.

9.

Сферы применения IGBT (БТИЗ)

10.

Освоение CAD-системы
SOLIDWORKS
• SolidWorks — это система гибридного
параметрического моделирования, предназначенная
для проектирования деталей и сборок в трехмерном
пространстве с возможностью проведения различных
видов экспресс-анализа, а также оформления
конструкторской документации в соответствии с
требованиями ЕСКД.
Образец корпуса IGBT из пластика ABS
3D-модель корпуса модуля IGBT смоделированная в
SOLIDWORKS по образцу

11.

Освоение CAD-системы
SOLIDWORKS
Можно также получить массовые
характеристики данной детали с помощью
CAD-системы SOLIDWORKS:
• Материал: пластик ABS
• Масса = 8.012 граммов
• Объем = 7663.38 кубических
миллиметров
• Площадь поверхности = 9932.52
квадратных миллиметров

12.

Построение в CAD-системе SOLIDWORKS
отдельных частей IGBT модуля с использованием
3D моделирования
Основание медное для платы
Медная плата с кристаллами
Сборка из деталей

13.

Заключение
Производственная практика предоставила возможность вживую
узнать о работе инженера на производстве АО Протон-Электротекс,
ознакомиться с производством продукции IGBT транзисторов, а
также с их проектированием в CAD-системе SOLID WORKS