Фізичні процеси в МОН-структурі, напруга плоских зон, порогова напруга, ємність МОН-структури. Практичне заняття №1

1.

Твердотільна електроніка
Частина 2
2021

2. Практичне заняття № 1 Тема: «Фізичні процеси в МОН-структурі, напруга плоских зон, порогова напруга, ємність МОН-структури»

Практичне заняття № 1
Тема: «Фізичні процеси в МОНструктурі, напруга плоских зон,
порогова напруга,
ємність МОН-структури»
2

3.

Задача 1
• Визначити густину заряду, що виникає на межі SiO2-Si в
деякій МОН-структурі,
• яка має алюмінієву металізацію,
• підкладку Si p-типу провідності
• з концентрацією акцепторів Na = 1016 см-3
• і товщину окисного шару dok = 0,1 мкм.
• Відомо, що напруга плоских зон в такій структурі становить
Uп.з = -2,3 В.
3

4.

4

5.

5

6.

6

7.

7
7

8.

е φмн = е φм - е φн
8

9.

е φмн = е φм - е φн =
= 3,2 – (3,25+0,55 +φF) = - 0,6- φF
9

10.

10

11.

11

12.

12

13.

φмн = -0,6-0,29 = -0,89 B
13

14.

14

15.

15

16.

16

17.

Задача 2
17

18.

18

19.

Розв’язок:
dн,max = ( 4* Ꜫн * Ꜫо*|ϕF|/e* Na)1/2
19

20.

20

21.

21

22.

22

23.

23

24.

24

25.

25

26.

26

27.

27

28.

28

29.

29

30.

30

31.

31

32.

32