Похожие презентации:
Вольт-амперна характеристика польового МОН-транзистора. Практичне заняття №3
1.
Твердотільна електронікаЧастина 2
2021
2. Практичне заняття № 3 Тема: «Вольт-амперна характеристика польового МОН-транзистора. Диференційний опір та крутість
характеристики МОН-транзистора»2
3. Задача 1.
Польовий МОН-транзистор з каналом p-типу працює в режимізбагачення каналу (індукований канал має такі характеристики: W
= 50 мкм, L = 5 мкм, dок = 0,1 мкм, Uпор = -1 В, εок = 4, µp = 190
см2/В с).
А) Визначити струм стоку Ie опір каналу rc і крутість S, коли прилад
працює в лінійному режимі при напругах Uc = -0,1 В та Uз = -3 В.
4. Задача 1.
Дано:W = 50 мкм
L = 5 мкм
dок = 0,1 мкм
Uпор = -1 В
εок = 4
µp = 190 см2/В с
Uc = -0,1 В
Uз = -3 В
εо = 8,85 10-14 Ф/см
Знайти:
Іе – ? S – ? re – ?
5. Задача 1.
Розв’язок:Ie
W
1
2
p Cok U3 Unop Uc Uc
L
2
6. Задача 1.
Cok0 ok
dok
7. Задача 1.
Cok0 ok
dok
14
Cok
8 85 10
6
0 1 10
4
8
3 54 10
Ф/см2
8.
W1
2
p Cok U3 Unop Uc Uc
L
2
Ie
6
Ie
50 10
6
5 10
4
190 10
8
3 54 10
( 3 1) ( 0 5)
1
2
( 0 5)
2
13 12
мкА
9.
rege
1
ge
W
p Cok U3 Unop Uc
L
10.
1ge
re
ge
6
ge
50 10
6
5 10
W
p Cok U3 Unop Uc
L
4
190 10
8
3 54 10
( 3 1 0 1)
4
1 28 10
Ом-1
11.
rere
1
ge
1 28 10
4
1
7 825 кОм
12.
SW
p Cok
L
13.
Wp Cok
L
S
6
S
50 10
6
5 10
4
190 10
8
3 54 10
6 73
мкА/В
Відповідь: Ie = 13,12 мкА, re = 7,825 кОм, S = 6,73 мкА/B.
14. Задача 1.
Б) Визначити значення Ie,нас іSнас,
вважаючи, що транзистор працює при
напругах Uc = -5 В, та Uз = -4 В.
15. Задача 1.
Розв’язок:Ie nac
W
p Cok
L
U3 Unop 2
2
16.
Ie nac6
Ie nac
50 10
6
5 10
U3 Unop
W
p Cok
L
2
4
190 10
2
8 ( 4 1)
3 54 10
2
2
0 303
мА
17.
14Cok
Snac
W
p Cok U3 Unop
L
8 85 10
6
0 1 10
4
3 54
18.
CokSnac
4
6
0 1 10
W
p Cok U3 Unop
L
6
Snac
8 85 10
50 10
6
5 10
4
190 10
8
3 54 10
( 4 1)
0 202
Відповідь: Ie,нас = 0,303 мА, Sнас = 0,202 мА/В.
мА/В
3 54
19. Задача 2.
Нехай маємо кремнієвий МОН-транзистор з каналомn-типу, що має наступні характеристики: Na = 1017см-3,
φмн = -0,95 В, Qs = 8 10-8 Кл/см2. Товщина оксидного шару
dок = 100 нм.
Визначити порогову напругу транзистора при (Qок+Qеф) =
8 10-8Кл/см2.
20. Задача 2.
Дано:Na = 1017 см-3
φмн = -0,95 В
Qs = 8 10-8 Кл/см2
dок = 100 нм
εок = 4
εн = 12
ni = 1,5 1010 см-3
Знайти:
Uпор – ?
Задача 2.
21.
Unopmn 2 F
Qok
Cok
Qob max
Cok
Qef
Cok
22.
2 FNa
k T
2
ln
e
ni
23.
2 FNa
k T
2
ln
e
ni
2 F
1017
2 0 026 ln
1.5 1010
0 82
еВ
24.
Qob max4 n 0 e Na F
1
2
25.
4 n 0 e Na FQob max
Qob max
14
3 12 8 85 10
19
1 6 10
1
2
17
10
0 41
1
2
7
1 7 10
Кл/см2
26.
0 okCok
dok
14
Cok
8 85 10
5
10
4
8
3 54 10
Ф/см2
27.
Qokmn 2 F
Unop
8 10 8 1 7 10 7
0 95 0 82
8
3 54 10
Cok
Відповідь: Uпор = 2,33 В
Qef
Unop
Cok
Qob max
Cok
2 33
В
28. Задача 3.
Польовий МОН-транзистор з каналом p-типу маєнаступні параметри:
dок = 100 нм, W = 50 мкм, L = 5 мкм, µp = 230 см2/В с.
Знайти струм насичення і граничну частоту,
якщо Uз-Uпор = 1 В.
29. Задача 3.
Дано:dок = 100 нм
W = 50 мкм
L = 5 мкм
µp = 230 см2/В с
εок = 4
Знайти:
Iс,нас – ? fгр – ?
Задача 3.
30. Задача 3.
Розв’язок:Ic nac
W p C3
2 L
U3 Unop
2
31.
C3Cok
Cok
0 ok
dok
14
Cok
8 85 10
5
10
4
8
3 54 10
Ф/см2
32.
Ic nacW p C3
2 L
4
Ic nac
50 10
U3 Unop
2
8
230 3 54 10
4
2 5 10
( 1)
2
88 9
мкА
33.
f grS
2 C3 W L
34.
SW p C3
L
U3 Unop
35.
W p C3S
4
S
50 10
L
U3 Unop
8
230 3 54 10
4
5 10
( 1)
2
6
177 8 10
А/В
36.
f grS
2 C3 W L
6
f gr
177 8 10
8
2 3 14 3 54 10
4
50 10
Відповідь: Iс,нас = 88,9 мкА,
4
5 10
36
fгр = 36 МГц.
МГц
37. Домашнє завдання:
Задача 1.Польовий МОН-транзистор з каналом p-типу має концентрацію
домішки в підкладці 1015 см-3, товщину оксидного шару 100 нм.
Знайти порогову напругу, якщо φмн = -0,6 В, Qs = 8 10-8 Кл/см2.
Задача 2.
Щоб понизити порогову напругу в транзисторі, використовуєтья
іонна домішка йоду.
Яка повинна бути концентрація атомів, щоб порогова напруга стала
рівною -1,5 В?
38. Домашнє завдання:
Задача 3.МОН-транзистор з каналом n-типу працює в режимі збагачення
каналу і його параметри є такі: dок = 0,1мкм, W = 100 мкм, L = 10
мкм, µn = 450 см2/В с, Unop = 1 В.
Знайти значення величини Iс,нас, Sнас, якщо Uз = Uc = 5 В, а
підкладка і витік заземлені.