Похожие презентации:
Базовые понятия кристаллохимии
1.
Базовые понятия кристаллохимии2.
Основные определения кристаллохимии.К понятию межплоскостного расстояния в кристалле
2
3.
34.
4P – примитивная, С – базоцентрированная,
I – объемноцентрированная, F – гранецентрированная
5.
Обозначение кристаллографических плоскостейПрямые и плоскости, проходящие через узлы пространственной решетки,
называют соответственно узловыми прямыми и плоскостями.
Под кристаллографическими индексами плоскости (индексами Миллера)
понимают три простых целых числа h, k, l, обратно пропорциональных
отрезкам, отсекаемых любой плоскостью данного семейства на
кристаллографических координатных осях х, у, z
5
6.
Расстояние между парой соседних плоскостей из семейства (hkl)называется межплоскостным расстоянием и обозначается dhkl . Оно
измеряется по нормали к плоскости и зависит от значений параметров
элементарной решётки.
7.
8.
Условие наблюдения дифракции – закон Брегга-Вульфаnλ = 2dhkl sinΘ
n – порядок отражения, целое число, λ – длина волны