Расчет гибридной интегральной микросхемы

1.

«ПОВОЛЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»
(ФГБОУ ВО «ПГТУ»)
Расчет гибридной интегральной
микросхемы
Выполнил студент группы
ЭВС-31
Еремеев Роман
2022 г.

2.

Принципиальная схема ГИМС

3.

Схема ГИМС с расположением контактных
площадок

4.

Расчет резисторов
На микросхеме расположены 5 тонкопленочных резистора материалов РС3710
и РС2005, а также 2 SMD резистора.
R
±R, %
Материал/Тип
R□
P, мВт
L, мм
A, мм
KФ
R1
5к
10
РС3710
1000
20
2,5
0,5
5
R2
1,2
1
SMD 0402
-
62
1
0,5
-
R3
100к
10
РС2005
100000
50
1
1
1
R4
2к
10
РС3710
1000
10
1
0,5
2
R5
100к
10
РС2005
100000
50
1
1
1
R6
3,2к
10
РС3710
1000
16
1,6
0,5
3,2
R7
100
1
SMD 0603
-
63
1,6
0,8
-

5.

Расчет конденсаторов
Обкладки тонкопленочного конденсатора квадратной формы.
C
С, пФ
Материал диэлектрика
Суд, пФ/мм2
а, мм
S, мм2
d, мкм
320
SiO
100
1,8
3,24
1
В качестве материала подложки ГИС выбрана подложка ВК-100-1 поликоровая,
габаритными размерами - 60×48×1 мм и коэффициентом теплопроводности
30-35 Вт\м*К.

6.

10
Топология микросхемы
12

7.

Инв. №дубл.
Подп. и дата
темы проектирования", Россия. Все права защищены.
Справ. №
Перв. примен.
Резистивные слои микросхемы

8.

Проводящий слой микросхемы

9.

Диэлектрический слой

10.

Проводящий слой внешней обкладки
конденсатора и пересечения

11.

Контактные площадки и положения
транзисторов

12.

Вид микросхемы в сборе
э. б. к.
э. б. к.