Похожие презентации:
Без имени (3)
1.
Интегральные микросхемы (ИМС)Тема 1. Классификация и система
обозначений интегральных микросхем
Выполнили студенты 352 учебного взвода:
Тишковец С.Е.
Белорусов А.Д.
2.
1. Классификация интегральных микросхемИнтегральная микросхема (ИМС) – микроэлектронное устройство, содержащее
совокупность нескольких активных и пассивных элементов (транзисторов, диодов, емкостей,
сопротивлений и др.), которые изготовлены в едином технологическом процессе, электрически
соединены между собой и заключены в общий корпус.
Основные параметры интегральных микросхем:
– плотность упаковки (количество элементов в единице объема);
– степень интеграции (количество элементов в микросхеме).
ИМС принято классифицировать по трем направлениям:
По типу преобразуемого сигнала
По технологии изготовления
По степеням интеграции
3.
1.1. Классификация по типу преобразуемых сигналовАналоговые (АИС) — микросхемы, предназначенные для преобразования и обработки сигналов,
изменяющихся по закону непрерывной функции. Пример - интегральная микросхема с линейной
характеристикой (линейная ИМС).
Цифровые (ЦИС) — микросхемы, предназначенные для преобразования и обработки сигналов,
изменяющихся по закону дискретной функции, т.е. принимающей два значения - «0» или «1». Пример логическая микросхема, выполняющая одну или несколько логических функций.
Аналого-цифровые — особые виды ИМС, служащие для преобразования аналоговых сигналов в
цифровые, и наоборот, в устройствах обработки информации, автоматического управления, передачи
данных, в измерительных системах и др.
4.
1.2. Классификация по технологии изготовленияКонструктивная классификация ИМС
Полупроводниковые
В полупроводниковых ИС все
элементы и межэлементные
соединения изготовлены в
объеме и на поверхности
полупроводника
Гибридные
Гибридные ИМС содержат
пленочные пассивные
элементы и навесные
активные компоненты.
Прочие – пленочные,
керамические и т.д.
В пленочных ИМС все
элементы и межэлементные
соединения выполнены в виде
токопроводящих пленок.
ПЛЕНОЧНЫЕ ИМС
Диэлектрик
Резистивный
материал
Металл
Резистор
Диэлектрик
Металл (Al)
Индуктивность
Рис. 2.2.
Диэлектрик
Металл
Конденсатор
5.
1.3. Классификация по степеням интеграцииВ зависимости от количества элементов ИМС делят по степеням интеграции:
- Первой степени – до 10 элементов;
- Второй степени – от 11 до 100 элементов;
- Третьей степени – от 101 до 1000 элементов;
- Свыше 1000 элементов – большие ИМС;
- Свыше 100000 элементов – сверхбольшие ИМС.
В современных полупроводниковых ИМС обеспечиваются высокая степень интеграции (106
элементов в корпусе) и плотность упаковки (105 элементов в см3). В гибридных ИМС степень
интеграции до сотен элементов в корпусе, а плотность упаковки около 150 элементов в см3.
6.
2. Условные обозначения интегральных микросхемПо принятой системе (ГОСТ 17467-88) обозначение ИМС должно состоять из четырех элементов:
• Первый элемент – цифра, соответствующая конструктивно-технологической группе:
1, 5, 7 – полупроводниковые ИМС (обозначение 7 присвоено бескорпусным полупроводниковым ИС);
2, 4, 6, 8 – гибридные ИМС;
3 – прочие ИМС (пленочные, вакуумные и керамические и т.д.).
• Второй элемент – 2 - 3 цифры, обозначающие порядковый номер разработки серии микросхем (01, 02,
…, 999).
• Третий элемент – две буквы, обозначающие функциональное назначение микросхемы.
• Четвертый элемент – порядковый номер разработки микросхем по функциональному признаку в
данной серии.
1
33
ТМ
2
I
II
III
IV
7.
2. Условные обозначения интегральных микросхемВ соответствии с ГОСТ микросхемы по функциональному назначению обозначаются следующим образом:
Назначение
Обозначение
Назначение
Обозначение
Генераторы сигналов
Г (С, Ф, Г, …)
Формирователи импульсов
А (Г, Ф, Р, П)
Коммутаторы и ключи
К (Т, Н, П)
Наборы элементов
Н (Д, Т, Р, Е, …)
Детекторы
Д (А, С, Ф, И)
Модуляторы
М (А, С, Ф, …)
Вторичные источники
питания
Е (В, М, Н, Т)
Многофункциональные устройства
Х (А, Л, К, П)
Логические элементы
Л (И,А,Е, …)
Устройства задержки (ЛЗ)
Б (М, Р, П)
Преобразователи
П (С, Ф, Н, …)
Усилители
У (Т, И, В, …)
Фильтры
Ф (В, Н, Е, …)
Триггеры
Т (Л, Д, М, …)
Устройства селекции и
сравнения
С (А, В, С, …)
Арифметические и дискретные
устройства
И (Р, М, Л, …)
Запоминающие устройства
Р (М, У, В, …)
Таблица 1. Виды функционального назначений ИМС
8.
2. Условные обозначения интегральных микросхем• Для обозначения ИМС широкого применения перед номером ставятся буква «К».
Например, К140УД1 - полупроводниковые ИС серии 40 широкого применения, усилитель
дифференциальный.
• Если после буквы «К» перед номером серии указывается еще буква «Р» или «М», то это означает,
что данная серия вся выпускается в пластмассовом (буква «Р») или керамическом (буква «М»)
корпусах.
Например, КМ155ЛА1 - полупроводниковые ИМС серии 55 широкого применения в керамическом
корпусе, логический элемент И-НЕ.