Татаренко Р.Р

1. Численное моделирование свойств диэлектрического рассеивателя с поверхностным покрытием, предназначенным для создания

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования
«Национальный исследовательский Томский государственный университет»
Физический факультет
Кафедра общей и экспериментальной физики
Численное моделирование свойств
диэлектрического рассеивателя с
поверхностным покрытием,
предназначенным для создания
электромагнитной маскировки
Автор: Татаренко Р., студент группы 052461
.
Руководитель: Борисов А.В , канд. физ.-мат. наук, доцент
Томск – 2025
1

2. Актуальность

• Развитие технологий электромагнитной маскировки (стелстехнологии).
• Необходимость моделирования рассеивающих структур для
военных и гражданских применений.
• Возможности численного моделирования для оптимизации
покрытий и геометрии объектов.
2

3. Цель

• Разработка модели диэлектрического рассеивателя с
поверхностным покрытием.
• Исследование влияния параметров покрытия на эффективность
электромагнитной маскировки.
• Оптимизация структуры для заданных диапазонов частот.
3

4. Объект исследования

Диэлектрический рассеиватель с многослойным поверхностным
покрытием.
Параметры: геометрия, материал, толщина слоев, диэлектрическая
проницаемость.
4

5. Методы исследования

1. Численное моделирование методом конечных элементов (FEM).
2. Использование программного пакета COMSOL.
3. Анализ коэффициента отражения и рассеяния в зависимости от
частоты и угла падения волны
5

6. Задачи и результаты

Задачи:
1. Обзор литературы по электромагнитному рассеянию и
маскировке.
2. Выбор модели рассеивателя и типа покрытия.
3. Освоение инструментов численного моделирования.
Достигнутые результаты:
1. Сделан обзор литературы по теме исследования
(проинализировано 7 источников).
2. Создана предварительная 3D-модель рассеивателя с покрытием.
6

7.

Спасибо за внимание!
7