Исследование термоЭДС, магнетотермоЭДС и электросопротивления в манганите Pr0,65(Ca0,8Sr0,2)0,35MnO3

1. Исследование термоЭДС, магнетотермоЭДС и электросопротивления в манганите Pr0,65(Ca0,8Sr0,2)0,35MnO3.

Исследование термоЭДС,
магнетотермоЭДС и
электросопротивления в
манганите Pr (Ca Sr ) MnO .
0,65
0,8
0,2
0,35
3

2.

Введение
В данной работе экспериментально изучена термоэдс S и
магнетотермоэдс ∆S/S = {S – S }/S монокристаллического
образца Pr0,65(Ca0,8Sr0,2)0,35MnO3. Результаты указывают на то, что
рассматриваемый состав состоит из антиферромагнитной Атипа матрицы PrMnO3 и ферромагнитных кластеров около
примесных ионов Ca и Sr.
H
H=0

3.

Экспериментальная установка
При измерении термоэдс и магнетотермоэдс на один конец
образца, имеющего форму параллелепипеда, наматывалась
печка из тонкой константановой проволоки, с помощью
которой создавался градиент температуры, равный 5 K. К
образцу подводились 3 термопары медь-константан,
измеряющие температуру концов и середины образца.
Напряжение с концов образца измерялось с помощью
аналогово-цифрового комплекса NI-9211, позволяющего
измерять малые значения электрического напряжения с
типовым значением относительной погрешности измерения
0.05% и входным сопротивлением 20 МОм. Образец
помещался в откаченную вставку, которая опускалась в дьюар
с жидким азотом.

4. ТермоЭДС

ТермоЭДС
350
300
250
S, mcV/K
200
150
100
50
0
80
120
160
-50
T, K
200
240

5. МагнетотермоЭДС

МагнетотермоЭДС
0,1
0
80
100
120
140
160
180
200
220
240
260
280
-0,1
-0,2
dS/S
-0,3
1 kOe
-0,4
5 kOe
15 kOe
-0,5
-0,6
-0,7
-0,8
-0,9
Т, К

6. Электросопротивление

Электросопротивление
14
12
R, kOhm
10
0 kOe
8
1 kOe
5 kOe
6
15 kOe
4
2
0
50
100
150
Т, К
200
250

7.

Заключние
В нашей работе обнаружено, что в магнитнополупроводниковом составе Pr0,65(Ca0,8Sr0,2)0,35MnO3 термоЭДС, в
основном, определяется присутствием в нем наноразмерных
магнитнопримесных состояний носителей заряда –
примесных ферронов. То есть величина термоЭДС зависит от
уровня легирования, который определяет количество
указанных нанокластеров. Кроме того, в магнитных
полупроводниках имеется дополнительная степень свободы у
термоЭДС – ее величину можно регулировать в широких
пределах магнитным полем.

8.

Спасибо за внимание!