Лекция 2

Зависимость выхода годных Y от минимального размера L м

Закон сохранения выхода годных

1. Ограничения, связанные с дисперсией размеров пыли Зависимость числа осажденных пылинок от их размера

Зависимость числа осажденных пылинок от их размера

Влияние размера дефекта и элемента на отказ ИС

Влияние размеров дефектов на степень интеграции ИС

Учет влияния дисперсии размеров дефектов на выход годных ИС.

2. Приборные (параметрические ) ограничения

Ограничения, связанные со смыканием областей ОПЗ истока и стока при уменьшении длины канала

Зависимость ширины ОПЗ от концентрации примеси и напряжения смещения

Логика закона масштабирования

Зависимость ширины ОПЗ от концентрации примеси и напряжения смещения

Пороговое напряжение МОП-транзистора

Логика закона масштабирования

Пороговое напряжение МОП-транзистора

Логика закона масштабирования

Логика закона масштабирования

Влияние масштабирования на параметры ИС

График закона масштабирования

Ограничение графика закона масштабирования

Зависимость величины туннельного тока через диэлектрик от напряжения на затворе

Зависимость ширины и длины канала от толщины подзатворного оксида кремния

Изменение толщины подзатворного диэлектрика

Использование альтернативных диэлектриков

Влияние диэлектрической проницаемости альтернативного диэлектрика на физическую толщину подзатворного диэлектрика

Микрофотография структуры с оксидом гафния

Ограничения, связанные с потерей полупроводником диэлектрических свойств

Ограничения, связанные с потерей полупроводником диэлектрических свойств

Электроперенос, ограничивающий масштабированное уменьшение толщины проводящих пленок

Конструктивные особенности масштабируемой системы металлизации

Конструктивные особенности масштабируемой системы металлизации

РЭМ - фотография металлизированной разводки

Ограничения, связанные с отводом тепла

Предельные значения физических параметров

График закона масштабирования с учетом физических ограничений

Ограничения уменьшения размеров традиционного МОП транзистора

4. Технологические ограничения, связанные с процессом совмещения при литографии

Установка совмещения и экспонирования на участке фотолитографии

Таблица факторов, определяющих ПДР ( I = 3 мкм )

Масштабируемость ПДР

Таблица факторов, определяющих ПДР ( I = 3 мкм )

Электроперенос, ограничивающий масштабированное уменьшение толщины проводящих пленок

Конструктивные особенности масштабируемой системы металлизации

РЭМ - фотография металлизированной разводки

Причина немасштабируемости линии при литографии

Методы самосовмещения в технологии ИС

Самосовмещение с разнотолщинной маской с использованием открытого травления

Влияние температуры и среды на перераспределение примеси при окислении кремния

Инверсионный канал по краю кармана р-типа

Распределение примеси по глубине при ионной имплантации

Самосовмещение с разнотолщиной маской с использованием ионной имплантации

Самосовмещение с помощью твердой маски

Самосовмещение с использованием электродов в качестве маски

Самосовмещение с использованием легированного поликремниевого электрода

Самосовмещение с помощью «спейсеров»

Самосовмещение с использованием Lift off («взрывной») технологии

Самосовмешение с использованием бокового подтравливания и «взрывной» технологии

Перекрестная металлизация

Самосовмещенный процесс создания перекрестной металлизации

Самосовмещенный процесс создания перекрестной металлизации

Самосовмещенный процесс создания перекрестной металлизации

Самосовмещенный процесс создания перекрестной металлизации

Самосовмещенный процесс создания перекрестной металлизации

Самосовмещенный процесс создания перекрестной металлизации

Фундаментальные физические ограничения уменьшения размеров

Лекция 2

Зависимость выхода годных Y от минимального размера L м

Закон сохранения выхода годных

1. Ограничения, связанные с дисперсией размеров пыли Зависимость числа осажденных пылинок от их размера

Зависимость числа осажденных пылинок от их размера

Влияние размера дефекта и элемента на отказ ИС

Влияние размеров дефектов на степень интеграции ИС

Учет влияния дисперсии размеров дефектов на выход годных ИС.

2. Приборные (параметрические ) ограничения

Ограничения, связанные со смыканием областей ОПЗ истока и стока при уменьшении длины канала

Зависимость ширины ОПЗ от концентрации примеси и напряжения смещения

Логика закона масштабирования

Зависимость ширины ОПЗ от концентрации примеси и напряжения смещения

Пороговое напряжение МОП-транзистора

Логика закона масштабирования

Пороговое напряжение МОП-транзистора

Логика закона масштабирования

Логика закона масштабирования

Влияние масштабирования на параметры ИС

График закона масштабирования

Ограничение графика закона масштабирования

Зависимость величины туннельного тока через диэлектрик от напряжения на затворе

Зависимость ширины и длины канала от толщины подзатворного оксида кремния

Изменение толщины подзатворного диэлектрика

Использование альтернативных диэлектриков

Влияние диэлектрической проницаемости альтернативного диэлектрика на физическую толщину подзатворного диэлектрика

Микрофотография структуры с оксидом гафния

Ограничения, связанные с потерей полупроводником диэлектрических свойств

Ограничения, связанные с потерей полупроводником диэлектрических свойств

Электроперенос, ограничивающий масштабированное уменьшение толщины проводящих пленок

Конструктивные особенности масштабируемой системы металлизации

Конструктивные особенности масштабируемой системы металлизации

РЭМ - фотография металлизированной разводки

Ограничения, связанные с отводом тепла

Предельные значения физических параметров

График закона масштабирования с учетом физических ограничений

Ограничения уменьшения размеров традиционного МОП транзистора

4. Технологические ограничения, связанные с процессом совмещения при литографии

Установка совмещения и экспонирования на участке фотолитографии

Таблица факторов, определяющих ПДР ( I = 3 мкм )

Масштабируемость ПДР

Таблица факторов, определяющих ПДР ( I = 3 мкм )

Электроперенос, ограничивающий масштабированное уменьшение толщины проводящих пленок

Конструктивные особенности масштабируемой системы металлизации

РЭМ - фотография металлизированной разводки

Причина немасштабируемости линии при литографии

Методы самосовмещения в технологии ИС

Самосовмещение с разнотолщинной маской с использованием открытого травления

Влияние температуры и среды на перераспределение примеси при окислении кремния

Инверсионный канал по краю кармана р-типа

Распределение примеси по глубине при ионной имплантации

Самосовмещение с разнотолщиной маской с использованием ионной имплантации

Самосовмещение с помощью твердой маски

Самосовмещение с использованием электродов в качестве маски

Самосовмещение с использованием легированного поликремниевого электрода

Самосовмещение с помощью «спейсеров»

Самосовмещение с использованием Lift off («взрывной») технологии

Самосовмешение с использованием бокового подтравливания и «взрывной» технологии

Перекрестная металлизация

Самосовмещенный процесс создания перекрестной металлизации

Самосовмещенный процесс создания перекрестной металлизации

Самосовмещенный процесс создания перекрестной металлизации

Самосовмещенный процесс создания перекрестной металлизации

Самосовмещенный процесс создания перекрестной металлизации

Самосовмещенный процесс создания перекрестной металлизации

Фундаментальные физические ограничения уменьшения размеров

5.16M

Категория:

Электроника

Электроника

Похожие презентации:

Использование high-k диэлектриков при формировании МОПТ. (Лекция 7)

Короткоканальные эффекты, обусловленные ОПЗ стокового рп-перехода. (Лекция 4)

Общие сведения о средствах проектирования цифровых схем. Возрастание объемов

Общие сведения о средствах проектирования цифровых схем. Возрастание объемов

Формирование подзатворного диэлектрика. (Лекция 6)

Расчет электрических характеристик кремниевого интегрального n-МОП транзистора

Твердотельная электроника

Твердотельная электроника

Способы и средства получения вакуума

Способы и средства получения вакуума

Полевые транзисторы. Часть 2

Полевые транзисторы. Часть 2

ПР 2 Биполярный транзистор

ПР 2 Биполярный транзистор

Лекция 2 ЦОС. Преобразование речевых сигналов к цифровому виду

Лекция 2 ЦОС. Преобразование речевых сигналов к цифровому виду

Ограничения уменьшения размеров МОП транзистора. (Лекция 2)

1. Лекция 2

Ограничения уменьшения размеров МОП
транзистора

2. Зависимость выхода годных Y от минимального размера L м

Y
Lm

3. Закон сохранения выхода годных

Y exp( BD0 A) exp( D0 AЭ M )

4. 1. Ограничения, связанные с дисперсией размеров пыли Зависимость числа осажденных пылинок от их размера

Долят
в общем
объеме
воздуха
1/

English Русский Правила