Похожие презентации:
Формирование карманов КМОП (комплементарная структура металл-оксид-полупроводник) интегральных схем. (Лекция 5)
1. Лекция 5 Формирование карманов КМОП интегральных схем
2. Карманы в КМОП структуре
[1]3. Влияние температуры и среды на перераспределение примеси при окислении кремния
NКоэффициент
сегрегации
(N в кремнии/N в оксиде)
Доноры
N0
Акцепторы
(бор)
Оксид
кремний
1017 см-3
ДА
Нет
Инверсный канал
X
4. Самосовмещение охранных областей при формировании ретроградного кармана
Инверсный канал1018
p
Ионная имплантация бора
1017
Латеральная
диффузия бора
Самосовмещенная структура
Охранная
область
5. Карманы в КМОП структуре
В случае двухкарманов
охранные области
не нужны!!
[1]
6. КМОП структура с тремя карманами
[3]7. Дополнительные распределения примеси в диффузионном кармане
Диффузионный карманГлубина
Подгонка порогового
напряжения
Глубина
Предотвращение
смыкания ОПЗ
Глубина
[4]
8. Зависимость подвижности носителей от температуры и электрического поля
9. Влияние концентрации примеси и температуры на подвижность носителей
10. Различные виды распределения примеси в кармане
[4]11. Карман с ретроградным распределением примеси
КонцентрацияГлубина, мкм
[4]
12. Зависимость подвижности носителей от концентрации примеси и величины электрического поля
13. ВАХ рМОП транзистора для карманов разного типа
1 – ретроградныйкарман
2 – традиционный
карман
[6]
14. Зависимость тока утечки от длины канала
15. Зависимость длины канала, определяемой током утечки, от порогового напряжения
Ток утечки1 нА/мкм
(:)
16. Эффект «защелкивания» в КМОП структуре
[5]17. Зависимость порогового напряжения МОПТ от концентрации примеси
Поликремниевый n+ затворУровень легирования подложки, см -3
[4]
18. Зависимость пороговых напряжений МОПТ от дозы легирования
Доза фосфора, имплантированногов n-карман
Доза имплантированного бора * 1011, см-2
[4]
19. Дополнительное легирование кармана
Подгонка пороговогонапряжения
Формирование
охранной области от
смыкания ОПЗ
[4]
20. Влияние дозы ионной имплантации примеси на напряжение смыкания ОПЗ истока-стока
[7]21. Зависимость уровня легирования области для предотвращения смыкания ОПЗ от технологического поколения
КонцентрацияТехнологические поколения нм
[7]
22. Суперкрутой профиль распределения индия в р-кармане
Суперкрутой профиль распределения индия в ркарманеКонцентрация
Высокая подвижность
Большой ток насыщения
Предотвращение
смыкания ОПЗ
Глубина
[4]
23. Функции отдельных областей кармана п-типа
Контроль порогового напряженияПредотвращения защёлки
Контроль толщины канала
Уменьшение токов утечки
Емкость исток-сток
Предотвращение смыкания
ОПЗ исток-сток
Стоп-канал
Контроль
горячих
носителей
[4]