Похожие презентации:
Технологические аспекты производства диэлектрических резонаторов для СВЧ-фильтров
1.
Технологические аспекты производства диэлектрическихрезонаторов для СВЧ-фильтров
Автор: студент группы ФЭБО 01-16
Мордовичев Олег Николаевич
РТУ филиал МИРЭА в г. Фрязино
2.
Диэлектрический резонаторДиэлектрическими
резонаторами
называют
объемные
резонаторы из диэлектрических тел без проводящего покрытия.
Работа диэлектрического резонатора основана на принципе
объемного
резонанса
электромагнитной
волны
внутри
используемого образца диэлектрика.
2
3.
Область применения диэлектрических резонаторовФильтры СВЧ на диэлектрических резонаторах
СВЧ генераторы
3
4.
Классификация диэлектрических резонаторовПо классификации, диэлектрические резонаторы можно
разделить на:
Пункт 1
ОДР
МДР
01
02
При применении открытых диэлектрических резонаторов
(ОДР) используется принцип так называемого объемного
резонанса электромагнитных колебаний внутри
применяемых диэлектрических элементов (ДЭ).
Отражающей поверхностью в открытом диэлектрическом
резонаторе является граница раздела диэлектрик – воздух.
Отдельной группой диэлектрических резонаторов являются
МДР. При их использовании рядом с ДР размещают
металлические поверхности которые служат для экранирования
устройств. В составе МДР присутствует два или более
металлических и диэлектрических элементов.
4
5.
Принцип действия диэлектрических резонаторов5
6.
На сегодняшний день естьпрямые зарубежные аналоги
Япония
США
Франция
6
7.
Murata (Япония)Производитель
Murata (Япония)
Параметр
ε
30-32
Добротность Q на частоте 10 ГГц,
10 000
ТКЧ, 10-6 1/0С
1-4
Рабочий диапазон частот, ГГц
10-20
7
8.
Trans-Tech, INC (США)Производитель
Trans-Tech, INC
(США)
Параметр
ε
30-32
Добротность Q на частоте 10 ГГц,
10 000
ТКЧ, 10-6 1/0С
Рабочий диапазон частот, ГГц
1-3
10-20
8
9.
Exxelia, ФранцияПроизводитель
Trans-Tech, INC
(США)
Параметр
ε
30-32
Добротность Q на частоте 10 ГГц,
10 000
ТКЧ, 10-6 1/0С
Рабочий диапазон частот, ГГц
1-4
10-20
9
10.
Преимущество отечественных диэлектрическихрезонаторов
Ввиду имеющихся ограничений на поставку иностранной элементной компонентой
базы практический интерес представляет применение отечественного аналога
указанных диэлектрических резонаторов с высокой добротностью.
Производитель
Параметр
ε
Добротность Q на частоте 10 ГГц,
(Россия)
30-32
10 000
ТКЧ, 10-6 1/0С
1-4
Рабочий диапазон частот, ГГц
10-20
10
11.
Техническое заданиеИсследовать влияние количества
оксида Ni2O3 в составе шихты
материала БЦНТ на электропараметры
диэлектрического резонатора.
11
12.
График зависимости влияния добавки Ni2O3 на добротностьQ
9000
8000
7000
6000
5000
4000
3000
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
Ni2O3, %
График 1 – Зависимость влияния добавки Ni2O3 на добротность
12
13.
График зависимости влияния добавки Ni2O3 на ТКЧТКЧ, ТКЧ
1/℃
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
Ni2O3, %
График 2 – Зависимость влияния добавки Ni2O3 на ТКЧ
13
14.
График зависимости влияния добавки Ni2O3 на температуру обжигаТобжига
1640
1620
1600
1580
1560
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
Ni2O3, %
График 3 – Зависимость влияния добавки Ni2O3 на температуру обжига
14
15.
ВыводВ ходе прохождения практики изучены теоретические основы работы
диэлектрических резонаторов. Были приведены примеры зарубежных
аналогов диэлектрических резонаторов и произведено сравнение с
отечественными диэлектрическими резонаторами. Так же было
выполнено техническое задание целью, которого было исследовать
влияние количества оксида Ni2O3 в составе шихты материала БЦНТ на
электропараметры диэлектрического резонатора.
15