Исследование диффузионной длины электронов в AlN

1.

Исследование диффузионной длины электронов в AlN
Growth conditions:
T=720⁰C
FGa/FN=2,7
(FGa-Fdes)/FN=1
Образец
Z [нм]
N
h [нм]
d691
3,6-4
350
~1400-1536
d692
15
100
~1539
d688
25
60
~1523
d687
50
30
~1511
d689
100
15
~1506
d690
150
10
~1504
d693
250
6
~1502

2.

{GaN/AlN}
{0.389nm/4nm}
{1.5/16ML}
AlN
1.5-2.5µm
c-Al2O3
Growth conditions:
GaN 1,5ML
AlN 16ML
Образцы
Ga/N
T
Особенности
d678
2,7
720
Референсный образец
d680
2,7
720
Повтор d678, вставили сверхрешетку {AlN/AlGaN80%}x10 200нм x=90% между AlN и MQW
d686
2,7
720
Повтор d678 на японском AlN/c-Al2O3 темплейте
d684
4,1
720
Повтор d678 на медленной скорости роста MQW
(соотношение Ga/N соответствует избытку Ga в
образце d678)
d679
2,7
735
d678-d679-d681 температурная серия (избыток Ga
во время роста MQW одинаков)
d681
1,33
670
d678-d679-d681 температурная серия (избыток Ga
во время роста MQW одинаков)
d683
2,18
720
Относительно d678 снизили соотношение Ga/N
d682
1,6
720
Относительно d678 снизили соотношение Ga/N