Поверхность и контактные явления. Диод Шоттки

1. Твердотельная электроника

Электронный учебно-методический
комплекс
Твердотельная электроника
Презентации к лекционному курсу
Поверхность и контактные явления
Диод Шоттки
МОСКВА
2012
НИУ «МЭИ»

2. Влияние поверхностных состояний на энергетический спектр

3. Контакт металл-полупроводник

4. Контакт металл-собственный полупроводник

5. Контакт металл-электронный полупроводник

6. Контакт металл-дырочный полупроводник

7.

Без смещения:
W0
2 0 k
q Nd
m
2 q N d k
0

8. Сила изображения

E пот x
q
2
16 0 x
q2
Eпот x
q x x
16 0 x

9. Граница металл-полупроводник при приложении электрического поля (барьер для электрона)

10. Прямое и обратное смещение перехода металл-полупроводник

11. Расчет ВАХ барьера Шоттки

При приложении напряжения:
2 0 k Vсм
W
q Nd
где
J J п.п
V
T
Jм Js e
1
Ub
J s A T 2 e T
4 mn* q k 2
mn*
A
120
3
h
m0
А
см 2 K 2 - Постоянная Ричардсона

12. ВАХ диода Шоттки

13.

Важно подчеркнуть, что внешнее напряжение
может только выпрямить границы разрешенных
зон .
Другими словами, при приложении больших
прямых смещений электроны начнут «убегать» от
батареи смещения и все зоны будут наклоняться.

14. Диод Шоттки

15.

• Диоды Шоттки характеризуются быстрой
рекомбинацией инжектированных носителей
(время жизни носителей крайне мало), а значит и
высоким быстродействием.
Благодаря минимальному сопротивлению
базы и отсутствию процессов накопления и
рассасывания избыточных зарядов, быстродействие получается достаточно высоким:
граничная частота f гр 1010 Гц .