Туннельные диоды

1.

НИУ МЭИ
Кафедра Полупроводниковой электроники
Дисциплина:
Полупроводниковые СВЧ приборы
Тема 5.
Туннельные диоды
Рис. 29 г

2.

Ec
Ev
Fp
U1= 0
ВАХ туннельного диода
Fn
I
Рис. 30
Rd < 0
3
Iт
U2 < 0
2
U3 > 0
1
4
I пр
U
U4 > U3

3.

Вариант конструкции туннельного диода
Пайка
Sn
n+
Омич. контакт
Au + Ge
Si O2
Полуизол. GaAs
Рис. 31 а
p+- GaAs

4.

Усилитель отражательного типа
Zн
Rd < 0
Rs
Rр
Ls
Ц
Cj
Uвх
ТД
Rd
Lр
Gd
f f max
2 Cj
1
1
R s Gd
f0 = 1 30 ГГц ;
Kp = 10 30 дБ;
Zг
Pвых < 10 мВт
Рис. 31 б

5.

Обращенный диод
Ec
Fp = Ev
U1= 0
I
Fn = Ec
Iпр
Ev
1
U2< 0
Iт
Рис. 32
2
U