Цель работы
Виртуальное моделирование работы БТ в программном обеспечении MultiSim 10.1
Результаты измерений
Семейство входных и выходных статических характеристик БТ на диаграмме ОБ-соединений
Паспортные данные БТ КТ 501К
Паспортные данные БТ МП 37
Результаты измерений
Семейство входных и выходных статических характеристик BT на диаграмме УФ-соединений УБ уланиш схемасидаги БТнинг кириш ва
Расчет основных параметров
Рабочая станция NI ELVIS
Исследование полупроводникового диода на рабочей станции NI ELVIS
Модуль и схема исследования биполярного транзистора Биполяр транзисторни тадқиқ этиш модули ва схемаси
Содержание отчета
3.00M
Категория: ЭлектроникаЭлектроника

Исследование статических ВАХ БТ транзисторов в схеме включения с ОЭ. Лабораторная работа №11

1.

Лабораторная работа №11
Исследование статических ВАХ БТ
транзисторов в схеме включения с ОЭ

2. Цель работы

Изучить параметров статических ВАХ БТ
транзисторов в схеме включения с ОЭ

3.

Универсалный лабораторный стенд

4.

Схема для снятия статических характеристик
БТ
PА2
R
+
Е1

10кОм
VT
PА1
PV2
PV1
+

Е2

5.

Схема соединений для снятия статических
характеристик транзистора в схеме с общим
эмиттером.

6.

Результаты измерений:Снятие выходных
статических характеристик транзистора

7. Виртуальное моделирование работы БТ в программном обеспечении MultiSim 10.1

U3
+
5.000
V
DC 10MOhm
U4
Q1
BD140
+
1.776u
A
DC 1e-009Ohm
I1
0mA
+
-5.000
-
V
U1
DC 10MOhm
+
10.000
-
V
U2
DC 10MOhm
V1
10 V

8. Результаты измерений

9. Семейство входных и выходных статических характеристик БТ на диаграмме ОБ-соединений

10. Паспортные данные БТ КТ 501К

планар – технология выполнении эпитакциалного p-n-p
PKmax = 350 mВт (35 0Сда)
FЧЕГ ≥ 5 МГц
UКЭ = 45 В, Rmax = 10 кОм
UЭБ0 = 20 В
IKmax =300 (500) mA
IКЭ ≤ 1 mkA, R = 45
h21Э = 80 ÷ 240 (1 B, 30 mA)
CK ≤ 50 пФ (10 В)
rКЭтўй ≤ 1,3 Ом
КШ ≤ 4 дБ (1кГц)

11. Паспортные данные БТ МП 37

планар – технология выполнении эпитакциалного n-p-n PKmax
= 150 mВт (35 0Сда)
FЧЕГ ≥ 1 МГц
UКБ0теш = 30 В
IKmax = 20 mA
IКИmax = 150 mA
IКБ0 ≤ 30 mkA (5 В)
h21Э = 21 ÷ 50 (5 B, 1 mA)
rБ ≤ 220 Ом

12. Результаты измерений

13. Семейство входных и выходных статических характеристик BT на диаграмме УФ-соединений УБ уланиш схемасидаги БТнинг кириш ва

статических характеристик BT на
диаграмме УФ-соединений
УБ уланиш схемасидаги БТнинг кириш ва
чиқиш статик характеристикалар оиласи

14. Расчет основных параметров

U ЭБт h11I Эт h12U КБт
I Кт h21I Эт h22U КБт
u КБ const
iЭ const
h11Б
h12Б
u ЭБ
i Э
u ЭБ
u КБ
h21Б
h22Б
i К

i К
u КБ

15. Рабочая станция NI ELVIS

16. Исследование полупроводникового диода на рабочей станции NI ELVIS

17. Модуль и схема исследования биполярного транзистора Биполяр транзисторни тадқиқ этиш модули ва схемаси

биполярного транзистора
Биполяр транзисторни
тадқиқ этиш модули ва схемаси

18. Содержание отчета

Наименование работы
Цель работы
Схема измерения
Паспортные инструкции изучаемого электронного
устройства
Результаты измерений
Вольт-амперные характеристики
Расчет основных параметров
Заключение
English     Русский Правила