Исследование статических ВАХ БТ транзисторов в схеме включения с ОБ

1.

Лабораторная работа №12
Исследование статических ВАХ БТ
транзисторов в схеме включения с ОБ

2. Цель работы

Изучить параметров статических ВАХ БТ
транзисторов в схеме включения с ОБ

3.

Универсалный лабораторный стенд

4.

Схема для снятия статических характеристик
БТ
PА2
R
+
Е1
–
10кОм
VT
PА1
PV2
PV1
+
–
Е2

5.

Схема соединений для снятия статических
характеристик транзистора в схеме с общим
эмиттером.

6.

Результаты измерений:Снятие выходных
статических характеристик транзистора

7.

Семейство входных и выходных статических
характеристик БТ на диаграмме ОБсоединений

8. Виртуальное моделирование работы БТ в программном обеспечении Electronics Workbench

9. Результаты измерений

10. Семейство входных и выходных статических характеристик БТ на диаграмме ОБ-соединений

11. Паспортные данные БТ КТ 501К

планар – технология выполнении эпитакциалного p-n-p
PKmax = 350 mВт (при 35 0С)
Fгр ≥ 5 МГц
UКЭ = 45 В, Rmax = 10 кОм
UЭБ0 = 20 В
IKmax =300 (500) mA
IКЭ ≤ 1 mkA, R = 45
h21Э = 80 ÷ 240 (1 B, 30 mA)
CK ≤ 50 пФ (10 В)
rКЭнас ≤ 1,3 Ом
КШ ≤ 4 дБ (1кГц)

12. Расчет основных параметров

U ЭБт h11I Эт h12U КБт
I Кт h21I Эт h22U КБт
u КБ const
iЭ const
h11Б
h12Б
u ЭБ
i Э
u ЭБ
u КБ
h21Б
h22Б
i К
iЭ
i К
u КБ

13. Рабочая станция NI ELVIS

14. Исследование полупроводникового диода на рабочей станции NI ELVIS

15. Модуль и схема исследования биполярного транзистора Биполяр транзисторни тадқиқ этиш модули ва схемаси

биполярного транзистора
Биполяр транзисторни
тадқиқ этиш модули ва схемаси

16. Содержание отчета

Наименование работы
Цель работы
Схема измерения
Паспортные инструкции изучаемого электронного
устройства
Результаты измерений
Вольт-амперные характеристики
Расчет основных параметров
Заключение