Проектирование гибридных интегральных микросхем

1.

Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего
образования «Поволжский государственный технологический университет»
Пояснительная записка к контрольной работе
по дисциплине: «Проектирование гибридных
интегральных микросхем»
Выполнил: студент
группы ЭВС-31 оз
Абрамова Е.А..
Проверил:
доцент,
канд. техн. наук
Сушенцов Н.И.

2.

Принципиальная схема

3.

Перечень элементов

4.

Номиналы резистивных элементов
Таблица 1.
Напряжение питания - 5 В;
Полная относительная погрешность Ri - 20 %;
Погрешность воспроизведения поверхности сопротивления
резисторной пленки γpS - 5 %;
Полная относительная погрешность С 0 – 20 %;
Тип транзистора КТ307А-7;

5.

Преобразование принципиальной электрической схемы
Для расчетов были сделаны необходимые преобразования для упрощения
электрической принципиальной схемы. Затем была проанализирована схема и
произвелся дальнейший расчет резисторов.

6.

Расчетные данные для резисторов
Таблица 2

7.

Резистивный материал
Резистивный
материал
РС-3710.
Состав:
Сr(35,5-39,5%),
Ni(8-
11%),Si(49,5%- 55,55%).
Параметры:
1) Удельное поверхностное сопротивление - 300-3000 Ом/
2) Оптимальное удельное поверхностное сопротивление - 2000 Ом/
3) Допустимая мощность рассеивания - 2 Вт/см2
4) Толщина – 15-300 нм
5) Температурный коэффициент сопротивления ТКR (а*10-4 ) – 0,3 1/Со

8.

Параметры пленочных резисторов
Таблица 3

9.

Номинальные значения конденсатора и его материал
Таблица 4 . Номинальные значения конденсатора
Из справочных материалов выбираем материал диэлектрика SiO2
Его параметры:
С0