Расчет параметров слоев

1. Расчет параметров слоев

2.

V q N
1
p 47.7
n 65
[Ом·см]
447
NA
1
16
6.13 10
0.76
1265
ND
1
16
8.5 10
0.72

3.

s q
0 N N x dx
hсслоя
1
N(hслоя) = Nподл,
[Ом/ ]
N(hслоя) = Nэпитакс
Nэмиттера(h эмиттера) = Nакт базы(h эмиттера)

4. Диффузия в полуограниченную область

Случай неограниченного источника примеси
N 0, t N S const
N(x,t) = Ns erfc (x/L)
erf u
2
u
e d
2
erfc u 1 erf u
0
Случай ограниченного источника примеси
N x dx Q const
0
Q 2 Ns
N(x,t) = 2 Q exp ( - x2 /L2)
L
L 2 D t
Dt
характеристическая
длина диффузии

5.

Примесь знаем,
выбираем Т
x
N x, t N s erfic
2 D t
Условие 1
s q
0 N N x dx
hсслоя
1
Условие 2
N(hслоя) = Nфоновое
Получаем t,
если меньше 10
минут или больше
10 часов
Dt
находим Q 2 Ns

6.

Если заданы
параметры
после разгонки
Подбираем под Q
T и t загонки
выбираем Т
Dt
Q 2 Ns
Получаем t,
если меньше 10
минут или больше
10 часов
Примесь знаем,
Выбираем Q
Q
x2
N x, t
exp
D t
4 D t
Условие 1
s q
0 N N x dx
hсслоя
Условие 2
N(hслоя) = Nфоновое
Получаем Dt
(как одну
переменную)
1

7. Двух- и трехмерные точечные источники

r2
r2
Q
Q
N r , t
exp
exp 2
m
m
(4 Dt )
4Dt (4 Dt )
L
r - расстояние от источника диффузанта
m= 1/2, 1 и 3/2, соответственно, для одно-, двух- и трехмерного источников
Формула Пуассона
F ( , , )
( x ) 2 ( y ) 2 ( z ) 2
N x, y, z, t
exp[
]d d d
3/ 2
(4 Dt )
4 D t
( x )2
F ( )
N x, t
exp
d
4
D
t
2 Dt

8. «Разгонка» примеси Многостадийная диффузия

N x, t N S
erfc 2 Dз t з
Dр t р
exp ( x )
d
4 Dр t р
Dр tр = Dр1 tр1 + Dр2 tр2 + … + Dрi tрi
2
Q N x, t dt
0
2NS
Dз t з
характеристическая величина D t = Dз tз + Dр tр
Если Dр tр > 3 Dз tз
Если Dр tр Dз tз
Dз t з
x2
N x, t
exp
D t
4 D t
NS
x
N x, t N Sэф erfc
2 Dt
N Sэф N S
Dз t з
D t

9.

Операция
Dt
t,
T, К
Скр Разд
Пасс Акт
сек
Гл к
слой обл
база база
маск
SiO2,
Ns, Q,
SiO2,
Э мкм
см-3 см-2
мкм
маска
заг
Загонка скр. сл заг
заг
заг
заг
Разгонка скр. с. разг разг разг
Загонка разд о заг заг заг
Разгонка разд о разг разг разг
Загонка гл к
заг
Разгонка гл к
разг разг
Загонка п. базы заг
Разгонка п б
заг заг
заг заг
разг разг
Загонка а базы заг
разг
разг
заг заг
разг
заг
разг
заг
заг
разг
разг
заг
заг
заг
разг
разг
разг
заг
заг
заг
заг
разг
разг
заг
заг
заг
разг
разг
разг разг
разг
разг
Разгонка а базы разг разг разг разг разг
Загонка эмит
заг
заг
заг
заг
заг
Разгонка эмит разг разг разг разг разг
Dtхарактеристическое
заг
заг
разг
разг
разг
заг
заг
заг
заг
разг
разг
заг
заг
заг
разг
заг
заг
заг
разг
заг
заг
заг
заг

10. Рост пленок SiО2

11. Зависимость толщины маскирующей пленки SiO2 от режимов проведения диффузии